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無錫半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)再獲數(shù)億元資金，年內(nèi)完成三輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 08 日 17:11 | 分類 產(chǎn)業(yè)
近日，研微（江蘇）半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“研微半導(dǎo)體”）完成數(shù)億元A輪融資，投資方包括永鑫方舟、金圓資本、合肥產(chǎn)投等知名投資機(jī)構(gòu)。該公司成立3年已有多臺設(shè)備通過Fab廠驗(yàn)證，募集資金將用于未來研發(fā)投入及擴(kuò)充團(tuán)隊(duì)。 公開資料顯示，研微半導(dǎo)體成立于2022年，總部位于無錫，主要...  [詳內(nèi)文]

格力電器透露碳化硅芯片業(yè)務(wù)新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 08 日 17:08 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，格力電器在投資者關(guān)系平臺上透露了碳化硅業(yè)務(wù)最新進(jìn)展。 格力電器介紹，公司于2022年成立珠海格力電子元器件有限公司，全面負(fù)責(zé)第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)晶圓制造、功率器件封裝測試及半導(dǎo)體檢測服務(wù)。 目前，電子元器件公司已經(jīng)通過IATF16949車規(guī)級質(zhì)量體系認(rèn)證，并采用全自...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體、威世相繼推出SiC重磅新品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 08 日 17:06 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
進(jìn)入12月，全球碳化硅（SiC）功率器件領(lǐng)域迎來密集技術(shù)落地，頭部企業(yè)紛紛加碼高壓、高可靠性產(chǎn)品布局。納微半導(dǎo)體與威世（Vishay）相繼發(fā)布重磅SiC新品，分別聚焦超高壓場景突破與中功率市場適配。 1、納微半導(dǎo)體發(fā)布3300V/2300V超高壓SiC全系產(chǎn)品組合 12月1日，納...  [詳內(nèi)文]

華為、比亞迪押注！碳化硅外延“第一股”港股敲鐘，募資2.24億美元
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 08 日 17:00 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
12月5日，廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“天域半導(dǎo)體”）正式在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。作為中國碳化硅（SiC）外延片領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，天域半導(dǎo)體的成功上市不僅打破了國內(nèi)同類企業(yè)在港股的“零記錄”，也標(biāo)志著松山湖科學(xué)城在培育高科技上市梯隊(duì)方面取得了重要突破。 圖片來源：...  [詳內(nèi)文]

氧化鎵入選浙江省重大科技成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 17:02 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵
近期，浙江省科技廳公布2025年度重大科技成果，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司的氧化鎵系列成果入選。 圖片來源：鎵仁半導(dǎo)體 半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷經(jīng)數(shù)代更迭：從以硅、鍺為代表的第一代，到以砷化鎵等化合物為代表的第二代，再到以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代。如今，被譽(yù)為“第四代半導(dǎo)體”的氧化鎵...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技與頭部車企達(dá)成長期合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:57 | 分類 企業(yè)
12月2日，揚(yáng)杰科技與奔馳正式簽署長期合作協(xié)議，標(biāo)志著揚(yáng)杰科技在核心產(chǎn)品競爭力與全球市場拓展方面取得積極進(jìn)展。 圖片來源：揚(yáng)杰科技 根據(jù)雙方披露的合作細(xì)節(jié)，早在協(xié)議簽署的兩年前，揚(yáng)杰科技便已啟動與奔馳技術(shù)團(tuán)隊(duì)的深度對接。面對奔馳及其供應(yīng)鏈在應(yīng)用適配、可靠性驗(yàn)證等方面的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)，...  [詳內(nèi)文]

九峰山實(shí)驗(yàn)室氮化鎵新突破！即將中試驗(yàn)證
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:52 | 分類 氮化鎵GaN
2025年12月4日，九峰山實(shí)驗(yàn)室宣布了一項(xiàng)重大的科技突破——氮化鎵電源模塊的研發(fā)成功。該電源模塊只有拇指大小，100萬個指甲蓋大小的“黑盒子”，裝入一座容量1吉瓦（10億瓦）的超大型AI算力中心機(jī)柜里，一年可省近3億度電，約合2.4億元電費(fèi)。 圖片來源：中國光谷 團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人李...  [詳內(nèi)文]

新微半導(dǎo)體：氮化鎵功率全工藝平臺年產(chǎn)能突破60,000片
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:40 | 分類 氮化鎵GaN
近期，由臨港新片區(qū)管理委員會指導(dǎo)，新微半導(dǎo)體主辦的“氮化鎵驅(qū)動AI芯時代——臨港氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)鏈峰會”成功舉行。 會上，新微半導(dǎo)體宣布其100V-200V氮化鎵功率工藝平臺發(fā)布，同時該公司氮化鎵功率全工藝平臺實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)能突破60,000片。 圖片來源：新微半導(dǎo)體 新微半導(dǎo)體指出...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)紹興集成電路產(chǎn)業(yè)基金成立，兩大半導(dǎo)體項(xiàng)目同步落地
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:37 | 分類 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
近期，芯聯(lián)集成在資本、財(cái)務(wù)及技術(shù)端密集布局。12月2日，公司正式設(shè)立產(chǎn)業(yè)基金并綁定關(guān)鍵供應(yīng)商，此前三季報(bào)顯示營收增長近兩成且虧損大幅收窄。結(jié)合最新發(fā)布的碳化硅G2.0技術(shù)平臺，公司正通過“補(bǔ)鏈”與“擴(kuò)產(chǎn)”雙管齊下，為2026年預(yù)期的扭虧為盈目標(biāo)積蓄動能。 圖片來源：芯聯(lián)集成官微...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科“朋友圈”+1，攜手安森美劍指200毫米氮化鎵技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:29 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
12月3日，英諾賽科（Innoscience）與安森美（Onsemi）半導(dǎo)體共同宣布，雙方簽署諒解備忘錄，探討利用Innoscience經(jīng)過驗(yàn)證的200毫米氮化鎵對硅工藝，擴(kuò)大氮化鎵（GaN）功率器件的生產(chǎn)。 圖片來源：英諾賽科新聞稿截圖 此次合作將結(jié)合Onsemi的系統(tǒng)集成、...  [詳內(nèi)文]