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【倒計時6天！議程發(fā)布 & 抽獎開啟】APCSCRM 2025完整議程揭曉，參與即有機會贏取AR眼鏡、照片打印機等精美禮品！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 21 日 15:40 | 分類 展會
第六屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議（APCSCRM 2025）將于2025年11月25日-27日在河南鄭州盛大召開。會議將以“芯聯(lián)新世界，智啟源未來（Wide Bandgap, Wider Future）”為主題，聚焦寬禁帶半導體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新，涵蓋裝備、材料、器件、封測、終端應...  [詳內(nèi)文]

會議倒計時七天 | 11.27，業(yè)內(nèi)大咖齊聚集邦咨詢MTS2026
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 20 日 15:03 | 分類 展會
11.27 MTS2026 2025年11月27日（周四），TrendForce集邦咨詢“MTS2026存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會”將在深圳鵬瑞萊佛士酒店隆重舉行。 屆時，集邦咨詢資深分析師團隊將攜手英特爾、華為、時創(chuàng)意、Solidigm、銓興科技、歐康諾科技等業(yè)內(nèi)知名廠商，圍繞AI時代...  [詳內(nèi)文]

近眼顯示浪潮來襲，碳化硅/氮化鎵等半導體材料如何助攻？
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 20 日 13:57 | 分類 產(chǎn)業(yè)
2025年是近眼顯示技術(shù)（Near-Eye Display,NED）從實驗性產(chǎn)品向消費級市場滲透的關(guān)鍵節(jié)點。AI大模型與近眼顯示的融合催生新應用場景，如實時語音翻譯、空間導航等，市場需求從娛樂向辦公、工業(yè)、醫(yī)療等垂直領(lǐng)域擴展。 全球科技巨頭正加速布局AR/VR領(lǐng)域，蘋果Visio...  [詳內(nèi)文]

6000萬元，氮化鎵相關(guān)廠商布局光刻機賽道
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 20 日 13:57 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
11月18日，北京賽微電子股份有限公司（簡稱“賽微電子”）發(fā)布公告，計劃以不超過6000萬元的交易總價收購北京芯東來半導體科技有限公司的部分股權(quán)。 賽微電子擬分別購買芯東來原股東海南依邁、智能傳感產(chǎn)業(yè)基金、潯元投資、海創(chuàng)智能裝備持有的4.11%、3.00%、2.80%和1.09%...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed 發(fā)布兩款全新1200V碳化硅模塊
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 19 日 14:33 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
Wolfspeed近日宣布，其面向電動汽車（EV）牽引逆變系統(tǒng)推出兩大全新1200V碳化硅功率模塊系列。這兩大系列均搭載Wolfspeed最新的第四代(Gen4) SiC MOSFET技術(shù)和創(chuàng)新封裝工藝，旨在提供前所未有的系統(tǒng)耐久性、效率與設計靈活性，為電動汽車的性能和可靠性樹立...  [詳內(nèi)文]

這家氧化鎵公司落戶晉江并完成天使輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 19 日 14:28 | 分類 氧化鎵
隨著高功率器件性能需求的持續(xù)提升，氧化鎵憑借超寬禁帶、高擊穿電場等優(yōu)勢，被視為理想的第四代功率半導體材料，吸引國內(nèi)廠商不斷布局，近期氧化鎵領(lǐng)域再次傳出新動態(tài)。 “晉江產(chǎn)經(jīng)報道”官微消息，近日，晉江西安離岸創(chuàng)新中心孵化出的第一個產(chǎn)業(yè)化項目，專注于第四代超寬禁帶半導體材料——氧化鎵科...  [詳內(nèi)文]

TOPIC | 解鎖APCSCRM 2025 報告主題，邀請您11月25日鄭州見！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 18 日 15:12 | 分類 展會
第六屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議（APCSCRM 2025）將于2025年11月25日-27日在河南鄭州盛大召開。會議將以“芯聯(lián)新世界，智啟源未來（Wide Bandgap, Wider Future）”為主題，聚焦寬禁帶半導體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新，涵蓋裝備、材料、器件、封測、終端應...  [詳內(nèi)文]

12英寸氮化鎵再傳新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 18 日 14:38 | 分類 氮化鎵GaN
近期，信越化學宣布，比利時微電子研究中心（imec）利用QST襯底[一種300mm氮化鎵(GaN)生長襯底]制造出厚度為5μm的GaN HEMT結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了超過650V的高擊穿電壓。 資料顯示，QST襯底是由美國公司Qromis開發(fā)的專用于GaN生長的復合材料襯底。信越化學于20...  [詳內(nèi)文]

三家企業(yè)推進 GaN/SiC 技術(shù)新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 18 日 14:33 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，功率半導體行業(yè)迎來重要技術(shù)進展，英飛凌、GE Aerospace和SemiQ Inc三家企業(yè)分別在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)領(lǐng)域取得新進展。 01、英飛凌推出首款100V車規(guī)級GaN晶體管 11月6日，英飛凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車...  [詳內(nèi)文]