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Wolfspeed宣布達(dá)成重組協(xié)議：削減70%債務(wù)，獲得2.75億美元新融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 23 日 14:32 | 分類 企業(yè)
6月22日，Wolfspeed宣布，為主動優(yōu)化資本結(jié)構(gòu)、加速盈利進(jìn)程，已與主要債權(quán)人達(dá)成《重組支持協(xié)議》（Restructuring Support Agreement, RSA）。此舉旨在通過大幅削減債務(wù)、強(qiáng)化財務(wù)基礎(chǔ)，確保公司在快速增長的電氣化市場中保持領(lǐng)先地位并實現(xiàn)長期盈利...  [詳內(nèi)文]

深圳平湖實驗室GaN課題組迎新成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 23 日 14:29 | 分類 氮化鎵GaN
近期，深圳平湖實驗室的論文《肖特基型p-GaN柵HEMT中雙跨導(dǎo)峰與單跨導(dǎo)峰的演變：部分耗盡與完全耗盡p-GaN層的影響》被IEEE ISPSD確認(rèn)接收，論文第一作者為劉軒博士，通訊作者為萬玉喜、David Zhou。 IEEE ISPSD涵蓋了功率半導(dǎo)體器件、功率集成電路、工藝...  [詳內(nèi)文]

韓國材料巨頭攜手日本百年陶瓷技術(shù)企業(yè)：聯(lián)合開發(fā)碳化硅新產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 23 日 14:23 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月16日，韓國LG化學(xué)與日本Noritake共同宣布，成功開發(fā)出專用于碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的高性能銀漿。該產(chǎn)品可耐受300℃高溫環(huán)境，有助于解決電動車功率模塊長期面臨的芯片粘合技術(shù)瓶頸，為下一代800V高壓平臺及自動駕駛系統(tǒng)提供了關(guān)鍵材料支撐。 圖片來源：LG化學(xué) LG ...  [詳內(nèi)文]

東微半導(dǎo)核心技術(shù)人員發(fā)生變動
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 23 日 14:18 | 分類 企業(yè)
5月23日，蘇州東微半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“東微半導(dǎo)”）發(fā)布公告稱，公司核心技術(shù)人員劉磊先生因個人職業(yè)發(fā)展原因申請辭去核心技術(shù)人員職務(wù)，辭職后將不再擔(dān)任公司任何職務(wù)。 圖片來源：東微半導(dǎo)體公告截圖 東微半導(dǎo)在公告中明確表示，劉磊先生的離職不會對公司的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品創(chuàng)新、核...  [詳內(nèi)文]

三個碳化硅項目披露最新進(jìn)展！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 19 日 13:36 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，包括漢京半導(dǎo)體基地項目、重慶奕能碳化硅模組生產(chǎn)基地項目、賽美特碳化硅模組CIM項目 在內(nèi)的三個碳化硅項目披露最新進(jìn)展。 1、漢京半導(dǎo)體基地項目今年10月試投產(chǎn) 6月19日，據(jù)遼寧日報消息，占地面積9.6萬平方米的遼寧漢京半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱“漢京半導(dǎo)體”）產(chǎn)業(yè)基地已...  [詳內(nèi)文]

鈞聯(lián)電子碳化硅控制器應(yīng)用于全球首款量產(chǎn)飛行汽車
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 19 日 13:36 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，據(jù)鈞聯(lián)電子官方消息，其與廣汽高域聯(lián)合開發(fā)的碳化硅（SiC）電動發(fā)動機(jī)控制器已成功應(yīng)用于廣汽高域GOVY AirCab飛行汽車。該飛行器被定義為全球首款量產(chǎn)型無人駕駛多旋翼eVTOL（電動垂直起降）航空器，并于日前正式發(fā)布。 圖片來源：JLAE鈞聯(lián)電子 鈞聯(lián)電子自2023年...  [詳內(nèi)文]

深圳大學(xué)寬禁帶半導(dǎo)體功率器件研究迎新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 19 日 13:36 | 分類 功率
“深圳大學(xué)材料學(xué)院”官微消息，在剛剛結(jié)束的第37屆功率半導(dǎo)體器件與集成電路國際會議（IEEE ISPSD 2025）上，深圳大學(xué)材料學(xué)院、射頻異質(zhì)異構(gòu)集成全國重點實驗室劉新科研究員團(tuán)隊的三項研究成果入選, 其中一篇為口頭報告，兩篇為海報。 三篇論文工作如下： 1、He離子注入終端...  [詳內(nèi)文]

AR眼鏡再添新馬達(dá)，中電化合物與甬江實驗室展開合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 18 日 13:54 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月16日，中電化合物半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“中電化合物”）與甬江實驗室正式簽署了戰(zhàn)略合作框架協(xié)議。此次合作標(biāo)志著雙方將在AR眼鏡用光學(xué)碳化硅（SiC）晶片領(lǐng)域展開深度研發(fā)合作，共同推動SiC材料在增強(qiáng)現(xiàn)實（AR）領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用，為下一代智能穿戴設(shè)備提供更優(yōu)的光學(xué)解決方案。 ...  [詳內(nèi)文]

先為科技首臺GaN MOCVD外延設(shè)備正式發(fā)貨
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 18 日 13:53 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
“先為科技”官微消息，6月16日無錫先為科技有限公司首臺 GaN MOCVD BrillMO 外延設(shè)備正式發(fā)往國內(nèi)頭部的化合物半導(dǎo)體企業(yè)。 圖片來源：先為科技 先為科技表示，此次發(fā)貨的 GaN MOCVD BrillMO 外延設(shè)備，各項性能均達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。該設(shè)備運(yùn)用特有的溫...  [詳內(nèi)文]

又一化合物半導(dǎo)體項目投入量產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 18 日 13:53 | 分類 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
6月10日，位于重慶萬州的威科賽樂微電子股份有限公司化合物半導(dǎo)體芯片封裝模組生產(chǎn)線正式投入量產(chǎn)，成功打通了從關(guān)鍵原材料提取、核心芯片制造到高端封裝模組的全鏈條環(huán)節(jié)，在全國率先建成化合物半導(dǎo)體芯片全產(chǎn)業(yè)鏈基地。 圖片來源：威科賽樂 威科賽樂于2017年由廣東先導(dǎo)集團(tuán)與重慶萬林投資...  [詳內(nèi)文]