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全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片發(fā)布
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 12 日 14:25 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月9日，電子科技大學(xué)教授、天府絳溪實(shí)驗(yàn)室量子互聯(lián)網(wǎng)前沿研究中心主任周強(qiáng)，正式發(fā)布了全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片。這一突破性成果標(biāo)志著中國在量子科技領(lǐng)域邁出了重要一步，為量子互聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展提供了關(guān)鍵硬件支撐。 source：成都市發(fā)展改革委 據(jù)悉，氮化鎵量子光源芯片的實(shí)際尺寸僅有0...  [詳內(nèi)文]

寧波材料所碳化硅纖維研究獲重大突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 12 日 14:24 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所（以下簡(jiǎn)稱“寧波材料所”）宣布，其研發(fā)的高結(jié)晶連續(xù)碳化硅纖維（NIMTE-S13）在性能上實(shí)現(xiàn)了重大突破。經(jīng)中國合格評(píng)定國家認(rèn)可委員會(huì)（CNAS）認(rèn)證的第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)驗(yàn)證，NIMTE-S13的平均拉伸強(qiáng)度達(dá)到2.4 GPa，拉伸模量為440...  [詳內(nèi)文]

英飛凌公布最新財(cái)報(bào)并發(fā)布碳化硅新品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 09 日 16:15 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月8日，#英飛凌?發(fā)布2025財(cái)年第二季度的財(cái)報(bào)（截至2025年3月31日），該季度英飛凌營(yíng)收為35.91億歐元，利潤(rùn)為6.01億歐元，利潤(rùn)率16.7%。 source：英飛凌 受國際形勢(shì)影響，英飛凌2025年的同比增速將略有下降。英飛凌預(yù)計(jì)第三財(cái)季營(yíng)收37億歐元，市場(chǎng)預(yù)估3...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed預(yù)計(jì)2026財(cái)年收入低于預(yù)期
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 09 日 16:11 | 分類 企業(yè)
碳化硅技術(shù)領(lǐng)軍企業(yè)#Wolfspeed?于5月8日發(fā)布預(yù)警，預(yù)計(jì)其2026財(cái)年收入將遠(yuǎn)低于華爾街預(yù)期，由此前的9.587億美元下調(diào)至8.5億美元，收入預(yù)期下調(diào)主要?dú)w因于新工廠產(chǎn)能爬坡挑戰(zhàn)、運(yùn)營(yíng)成本以及聯(lián)邦補(bǔ)貼的不確定性。 source：集邦化合物半導(dǎo)體截圖 作為SiC技術(shù)的先行...  [詳內(nèi)文]

山東離子注入機(jī)迎突破，助力第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 09 日 16:07 | 分類 企業(yè)
近期，大眾日?qǐng)?bào)報(bào)道#艾恩半導(dǎo)體?自主研發(fā)制造的第一代碳化硅離子注入機(jī)已經(jīng)推向市場(chǎng)，正由芯片制造廠商進(jìn)行驗(yàn)證。 除已推向市場(chǎng)的第一代碳化硅離子注入機(jī)外，艾恩半導(dǎo)體對(duì)標(biāo)國際領(lǐng)先技術(shù)水平的第二代碳化硅離子注入機(jī)目前正在緊鑼密鼓的研發(fā)過程中，有望于今年9月面市。今年6月，該公司還將推出一...  [詳內(nèi)文]

納微、天岳先進(jìn)發(fā)布Q1成績(jī)單：營(yíng)收承壓，技術(shù)突圍
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 08 日 14:01 | 分類 企業(yè)
近期，全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)迎來財(cái)報(bào)季關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，納微半導(dǎo)體和天岳先進(jìn)分別交出第一季度成績(jī)單。兩家企業(yè)分別作為功率器件設(shè)計(jì)與碳化硅襯底制造領(lǐng)域的標(biāo)桿，在當(dāng)前復(fù)雜的宏觀環(huán)境下，營(yíng)收規(guī)模雖呈現(xiàn)階段性收縮，但均通過核心技術(shù)深耕與戰(zhàn)略市場(chǎng)卡位，展現(xiàn)出穿越周期的產(chǎn)業(yè)韌性。 01、納微半導(dǎo)體：營(yíng)...  [詳內(nèi)文]

三家公司披露8英寸碳化硅最新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 08 日 13:59 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
在半導(dǎo)體材料革命的浪潮中，碳化硅（SiC）以其耐高壓、高頻、高溫的卓越性能，正加速滲透各個(gè)領(lǐng)域。近年，我國積極發(fā)展碳化硅產(chǎn)業(yè)，在8英寸、12英寸取得了喜人成績(jī)。近期，國內(nèi)三家公司8英寸碳化硅領(lǐng)域傳出新進(jìn)展。 01、超芯星開啟8英寸碳化硅襯底量產(chǎn) 近期，南京日?qǐng)?bào)深度對(duì)話超芯星聯(lián)合創(chuàng)...  [詳內(nèi)文]

半導(dǎo)體設(shè)備大廠助力磷化銦芯片擴(kuò)產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 08 日 13:56 | 分類 企業(yè)
5月6日，半導(dǎo)體沉積設(shè)備愛思強(qiáng)宣布，公司最新G10-AsP系統(tǒng)已交付荷蘭磷化銦（InP）代工企業(yè)SMART Photonics。 該設(shè)備專為砷化物/磷化物應(yīng)用設(shè)計(jì)，采用創(chuàng)新的注入器和先進(jìn)溫控技術(shù)，使關(guān)鍵層的晶圓均勻性較前代產(chǎn)品提升4倍，同時(shí)，具備全自動(dòng)盒到盒操作能力，并通過原位清...  [詳內(nèi)文]

英飛凌、基本半導(dǎo)體發(fā)布碳化硅技術(shù)新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 07 日 14:26 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體的核心材料，憑借其耐高壓、高頻、高溫等特性，正成為新能源汽車、光伏儲(chǔ)能和5G通信等領(lǐng)域的技術(shù)變革引擎。 近期，基本半導(dǎo)體、英飛凌相繼宣布獲得碳化硅新突破：基本半導(dǎo)體推出新一代碳化硅MOSFET產(chǎn)品矩陣，覆蓋車規(guī)級(jí)、工業(yè)級(jí)多場(chǎng)景需求；英飛凌則將基于溝...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域新添兩起合作！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 07 日 14:10 | 分類 企業(yè) , 功率
功率半導(dǎo)體技術(shù)正成為推動(dòng)新能源汽車、工業(yè)自動(dòng)化、可再生能源以及家電智能化等多領(lǐng)域發(fā)展的關(guān)鍵力量。2025年5月，賽米控丹佛斯與中車時(shí)代半導(dǎo)體簽署合作備忘錄，英諾賽科與美的廚熱達(dá)成 GaN 戰(zhàn)略合作，共同推動(dòng)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的協(xié)同創(chuàng)新進(jìn)入了一個(gè)新的階段。 01、賽米控丹佛斯與中車時(shí)代...  [詳內(nèi)文]