相關(guān)資訊：碳化硅

華潤微電子第四代碳化硅MOS主驅(qū)模塊批量上車
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 06 日 16:01 | 分類 碳化硅SiC
近期，華潤微電子功率器件事業(yè)群（以下簡稱PDBG）SiC主驅(qū)模塊板塊再獲重要進(jìn)展，PDBG自主研發(fā)的第四代SiC MOS主驅(qū)模塊成功導(dǎo)入某頭部車企并實現(xiàn)批量上車。 #PDBG 是華潤微電子旗下全面負(fù)責(zé)功率器件設(shè)計、研發(fā)、制造與銷售服務(wù)的業(yè)務(wù)單元。其下設(shè)有中低壓MOS產(chǎn)品線，高壓M...  [詳內(nèi)文]

捷捷微電/三安光電披露，碳化硅取得新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 18 日 14:06 | 分類 碳化硅SiC
近日，捷捷微電和三安光電在碳化硅領(lǐng)域的最新研發(fā)進(jìn)展引發(fā)了行業(yè)關(guān)注。捷捷微電與中科院微電子研究所等合作研發(fā)碳化硅器件，目前處于小批量封測階段；三安光電熱沉散熱用碳化硅材料研發(fā)進(jìn)入送樣階段，其8英寸襯底準(zhǔn)量產(chǎn)產(chǎn)品已進(jìn)入主流新能源汽車企業(yè)供應(yīng)鏈。 捷捷微電：攜手科研機(jī)構(gòu)，推進(jìn)碳化硅器件...  [詳內(nèi)文]

AI、機(jī)器人、氮化鎵等浪潮來襲，英飛凌四大新品亮劍
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 31 日 15:35 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
3月14日，英飛凌在2025英飛凌消費、計算與通訊創(chuàng)新大會（ICIC 2025，以下同）上，就AI、機(jī)器人、邊緣計算、氮化鎵應(yīng)用等話題展開了深度探討，其首次在國內(nèi)展示了英飛凌的兩款突破性技術(shù)——300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μm超薄硅功率晶圓，引起行業(yè)諸多關(guān)注。 英飛凌...  [詳內(nèi)文]

注冊資本20億，度亙核芯上海成立新公司！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 21 日 14:45 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，度亙核芯光電技術(shù)（蘇州）股份有限公司（以下簡稱“度亙核芯”）在上海成立新公司——度亙核芯光電技術(shù)（上海）有限公司，注冊資本高達(dá)20億元人民幣。 據(jù)悉，新公司專注光通信設(shè)備制造、集成電路芯片及產(chǎn)品制造、光電子器件制造、半導(dǎo)體分立器件制造、電子元器件制造、電子專用材料制造和研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

安世半導(dǎo)體推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 10:52 | 分類 碳化硅SiC
近日，Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)戰(zhàn)略合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 10:41 | 分類 碳化硅SiC
近日，意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)在重慶安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠通線儀式后的“碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”上正式簽署產(chǎn)學(xué)研戰(zhàn)略合作協(xié)議。 雙方將在以下三方面展開產(chǎn)學(xué)研資源深度融合： 共建創(chuàng)新平臺：意法半導(dǎo)體在智能功率技術(shù)、寬禁帶帶隙半導(dǎo)體、汽車芯片、邊緣人工智能、傳感以及數(shù)字和混合信號技術(shù)等...  [詳內(nèi)文]

芯粵能半導(dǎo)體成功開發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 18 日 9:02 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)長三角國際半導(dǎo)體博覽會消息，近期，廣東芯粵能半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“芯粵能”）經(jīng)過近兩年時間的技術(shù)研發(fā)和測試，已成功開發(fā)出第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺。 該平臺采用芯粵能自主知識產(chǎn)權(quán)的溝槽MOSFET結(jié)構(gòu)，可顯著降低比導(dǎo)通電阻、提高電流密度，并在確保產(chǎn)品可靠性的同時，...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成獲聯(lián)合電子“卓越技術(shù)創(chuàng)新獎”
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 17 日 10:42 | 分類 碳化硅SiC
近日，聯(lián)合電子2025年供應(yīng)商大會隆重舉行，芯聯(lián)集成作為聯(lián)合電子的重要供應(yīng)鏈合作伙伴出席此次大會。會上，芯聯(lián)集成控股子公司芯聯(lián)動力，憑借高性能碳化硅（SiC）MOSFET等技術(shù)產(chǎn)品供應(yīng)，榮獲“2024年度供應(yīng)商卓越技術(shù)創(chuàng)新獎”。 作為一家半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界的創(chuàng)新科技公司，芯聯(lián)集成致力于...  [詳內(nèi)文]

歐洲九國聯(lián)盟，第三代半導(dǎo)體劃重點
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 16:32 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，德國、荷蘭、法國、比利時、芬蘭、意大利、奧地利、波蘭和西班牙九個國家正式簽署協(xié)議，組建“半導(dǎo)體聯(lián)盟”（Semicon Coalition），旨在通過協(xié)同合作提升芯片自給能力，并強(qiáng)化自身在全球半導(dǎo)體版圖的地位。 上述聯(lián)盟主攻技術(shù)主權(quán)、供應(yīng)鏈韌性與創(chuàng)新競爭力三大核心方向，將重點...  [詳內(nèi)文]

兩條8英寸產(chǎn)線新進(jìn)展：涉及碳化硅、氮化鎵
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 14 日 16:23 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
杰立方8英寸碳化硅產(chǎn)線之后，香港再傳出兩條第三代半導(dǎo)體產(chǎn)線進(jìn)展。 近期，明報新聞網(wǎng)報道，香港微電子研發(fā)院（MRDI）正在設(shè)立兩條8英寸第三代半導(dǎo)體中試線，分別負(fù)責(zé)碳化硅及氮化鎵研發(fā)和生產(chǎn)，預(yù)計在今年內(nèi)完成安裝及調(diào)試。 2024年5月，香港立法會批準(zhǔn)28.4億港元設(shè)立香港微電子研發(fā)...  [詳內(nèi)文]