文章分類： 氮化鎵GaN

Transphorm公布最新財報，高功率GaN收入占比超70%

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 27 日 16:41 |
| 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
日前，高壓功率轉(zhuǎn)換GaN供應(yīng)商Transphorm 公布了2023財年第三季度（截至2022年12月31日）的財報，多項業(yè)務(wù)取得重要進(jìn)展，營收表現(xiàn)良好。 上個季度，Transphorm 實(shí)現(xiàn)營收450萬美元（約合人民幣3125萬元），環(huán)比增長22%，同比微減2%。產(chǎn)品收入環(huán)比增長...  [詳內(nèi)文]

總投資8億、年產(chǎn)能120萬套，芯動半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體項目開工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 27 日 16:37 | | 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
根據(jù)長城汽車官網(wǎng)消息，2月26日，長城無錫芯動半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱：芯動半導(dǎo)體）“第三代半導(dǎo)體模組封測項目”奠基典禮在無錫舉行。 圖源：長城汽車官網(wǎng) 該項目總投資8億元，建筑面積約30000㎡，規(guī)劃車規(guī)級模組年產(chǎn)能120萬套，預(yù)計在2023年9月具備設(shè)備全面入廠條件，最...  [詳內(nèi)文]

高功率GaN收入占比超70%，這家廠商公布最新財報

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 24 日 17:42 |
| 分類: 氮化鎵GaN
日前，高壓功率轉(zhuǎn)換GaN供應(yīng)商Transphorm 公布了2023財年第三季度（截至2022年12月31日）的財報，多項業(yè)務(wù)取得重要進(jìn)展，營收表現(xiàn)良好。 上個季度，Transphorm 實(shí)現(xiàn)營收450萬美元（約合人民幣3125萬元），環(huán)比增長22%，同比微減2%。產(chǎn)品收入環(huán)比增長...  [詳內(nèi)文]

華潤集團(tuán)第三代半導(dǎo)體項目簽約落地?zé)o錫

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 24 日 16:23 | | 分類: 產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
據(jù)無錫日報報道，2月20日-22日，無錫市委書記杜小剛率無錫代表團(tuán)，拜訪華潤集團(tuán)、光大控股、隆源控股、德昌電機(jī)、瑞東集團(tuán)等香港知名企業(yè)，考察香港貿(mào)易發(fā)展局、香港科學(xué)園等機(jī)構(gòu)，推進(jìn)錫港兩地在產(chǎn)業(yè)、科創(chuàng)、金融、教育、文旅等領(lǐng)域的對接合作。 本次活動還舉辦簽約儀式。其中，華潤集團(tuán)第三代...  [詳內(nèi)文]

瞻芯電子：國產(chǎn)驅(qū)動芯片IVCR1801A和1407A量產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 23 日 17:23 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，瞻芯電子自主開發(fā)的2款通用柵極驅(qū)動芯片IVCR1801A、IVCR1407A啟動了全國產(chǎn)供應(yīng)鏈量產(chǎn)。 據(jù)了解，IVCR1801A和IVCR1407A均為單通道、高速、低側(cè)的柵極驅(qū)動芯片（Gate-driver），已獲工規(guī)級可靠性認(rèn)證（JEDEC)，且能兼容替代國際廠牌的成熟...  [詳內(nèi)文]

6.98億，國產(chǎn)射頻芯片龍頭國博電子擬開展二期項目

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 23 日 17:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
昨（22）日，國產(chǎn)射頻芯片龍頭國博電子宣布，根據(jù)射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目整體規(guī)劃，擬使用自有或自籌資金購買位于南京市江寧區(qū)金鑫西路以東、鳳礦路以西地塊的土地使用權(quán)（最終購買金額和面積以實(shí)際出讓文件為準(zhǔn)），并開展射頻集成電路產(chǎn)業(yè)化項目二期建設(shè)。 項目與公司已建設(shè)的項目一期地塊為相鄰區(qū)...  [詳內(nèi)文]

臺灣地區(qū)化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迎來逆風(fēng)，各大廠信心不減

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 23 日 17:21 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
受益于新能源革命，電動汽車、光伏儲能以及工業(yè)自動化等下游應(yīng)用的多點(diǎn)爆發(fā)，以碳化硅、氮化鎵為首的化合物半導(dǎo)體進(jìn)入了高速增長的階段，成為了行業(yè)“熱詞”，逐漸從小眾走向主流。 近年來，臺灣地區(qū)也在不斷加速化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。 01、2022年總產(chǎn)值791億元，年減4.5% 日前，據(jù)...  [詳內(nèi)文]

涉及GaN、GaAs技術(shù)，兆馳半導(dǎo)體與立琻半導(dǎo)體達(dá)成協(xié)議

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 23 日 16:54 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，兆馳半導(dǎo)體與蘇州立琻半導(dǎo)體有限公司（Lekin Semi）（以下簡稱“立琻半導(dǎo)體”）在LED芯片領(lǐng)域達(dá)成專利許可協(xié)議。 此項專利許可協(xié)議范圍包括數(shù)百項全球LED芯片核心專利，覆蓋美國、歐洲、日韓及中國大陸、中國臺灣等國家和地區(qū)，專利保護(hù)范圍包括PSS襯底，LED外延結(jié)構(gòu)，L...  [詳內(nèi)文]

年產(chǎn)120臺化合物半導(dǎo)體MOCVD設(shè)備，中晟光電半導(dǎo)體設(shè)備項目封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 22 日 17:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
2月18日，中晟光電設(shè)備（上海）股份有限公司位于臨港的研發(fā)和生產(chǎn)基地建設(shè)項目主體結(jié)構(gòu)順利封頂。 據(jù)了解，項目建筑面積21,180.73平方米，包含千級潔凈室1,700平方、萬級潔凈室4,000平方、十萬級潔凈室2,000平方，涵蓋了辦公、研發(fā)、生產(chǎn)、會議、培訓(xùn)等眾多區(qū)域。 項目建...  [詳內(nèi)文]

捷捷微電擬上調(diào)6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線總投資額

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 02 月 22 日 16:58 |
| 分類: 氮化鎵GaN
2月22日，捷捷微電發(fā)布關(guān)于全資子公司功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線建設(shè)項目變更投資總額的公告。 據(jù)介紹，捷捷微電于2021年7月召開的董事會上審議通過了《關(guān)于對外投資的議案》，同意公司全資子公司捷捷半導(dǎo)體建設(shè)“功率半導(dǎo)體6英寸晶圓及器件封測生產(chǎn)線建設(shè)項目”，總投資5.1億...  [詳內(nèi)文]