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定檔11.27，MTS2026存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會報名開啟
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 22 日 18:32 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 展會
01、會議背景 隨著AI浪潮席卷全球，存儲領域正處在風云變幻、波瀾壯闊的變革時代。這包括了技術的快速迭代、市場的激烈競爭、數(shù)據(jù)量的爆炸式增長，以及地緣政治對供應鏈的影響。在市場需求與技術演進的雙重推動下，人工智能有望成為引領存儲產(chǎn)業(yè)未來躍遷的核心引擎。 2025年全球存儲產(chǎn)業(yè)在動...  [詳內(nèi)文]

10億元投資，碳化硅涂層材料基地建設啟動
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 22 日 17:12 | 分類 碳化硅SiC
據(jù)“今日海滄”報道，近日，2025海滄區(qū)招商大會成功舉辦，現(xiàn)場共有45個高品質(zhì)項目成功簽約，總投資達285億元，其中就包括深圳泰坦未來技術有限公司（以下簡稱“泰坦未來”）的高性能材料項目。 圖片來源：今日海滄 據(jù)悉，泰坦未來計劃投資10億元建設高性能碳基、陶瓷基半導體復合材料產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

盛美上海、先為科技、北方華創(chuàng)齊發(fā)力，國產(chǎn)化合物半導體設備三連突破！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 22 日 17:11 | 分類 化合物半導體
隨著電動汽車、5G/6G通信、射頻和人工智能應用等領域的需求日益強勁，化合物半導體市場持續(xù)增長。近期，國內(nèi)化合物半導體設備領域喜訊頻傳，包括盛美上海推出新設備、先為科技設備發(fā)貨等，展現(xiàn)出國產(chǎn)設備正加速突圍的勢頭。 盛美上海 9月18日，盛美上海官微宣布，推出首款專為寬禁帶化合物半...  [詳內(nèi)文]

煙山科技率先打通8英寸硅基氮化鎵MicroLED混合集成工藝
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 19 日 14:14 | 分類 氮化鎵GaN
近日，莫干山基金已投項目煙山科技在MicroLED核心制造工藝上取得了重大突破。該公司率先在8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）平臺上完成了混合集成（Hybrid Bonding）工藝的全流程打通，并成功點亮了大尺寸MicroLED面板。 與傳統(tǒng)鍵合集成工藝相比，Hybrid ...  [詳內(nèi)文]

華為碳化硅散熱技術專利曝光
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 19 日 14:10 | 分類 碳化硅SiC
華為近日公布了兩項涉及碳化硅散熱技術的專利，分別為《導熱組合物及其制備方法和應用》和《一種導熱吸波組合物及其應用》。 前者專利提供了一種導熱組合物及其制備方法和應用。 圖片來源：國家知識產(chǎn)權局專利信息截圖 該導熱組合物包括基體材料和導熱填料；導熱填料包括大粒徑填料和小粒徑填料，...  [詳內(nèi)文]

珂瑪科技擴建，年產(chǎn)11000件半導體設備用碳化硅陶瓷部件！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 19 日 14:03 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 碳化硅SiC
市場最新消息顯示，珂瑪科技半導體設備用碳化硅陶瓷部件的擴建項目獲最新進展。9月15日，滁州市人民政府發(fā)布了關于《安徽珂瑪材料技術有限公司半導體設備用碳化硅材料及部件項目環(huán)境影響報告表》受理公示。 圖片來源：滁州市人民政府官網(wǎng)公示截圖 安徽珂瑪材料技術有限公司計劃在滁州市中新蘇滁...  [詳內(nèi)文]

羅姆：搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開始量產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 18 日 14:29 | 分類 碳化硅SiC
9月17日，據(jù)羅姆半導體官微宣布，搭載羅姆SiC MOSFET的舍弗勒逆變磚開始量產(chǎn)。 據(jù)了解，作為電驅(qū)動總成系統(tǒng)的核心部件，此次采用羅姆SiC MOSFET的逆變磚，對電動汽車的效率和性能有十分顯著的作用。這款高性能逆變磚突破電動汽車牽引逆變器領域通常支持的800V電壓，可支持...  [詳內(nèi)文]

中鎵半導體實現(xiàn)6/8英寸GaN襯底制備
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 18 日 14:26 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，東莞市中鎵半導體科技有限公司（以下簡稱“中鎵半導體”）宣布取得重大技術突破，成功攻克6英寸及8英寸氮化鎵（GaN）單晶襯底的制備技術。 圖片來源：中鎵半導體 這一成果依托于#中鎵半導體 自主研發(fā)的超大型氫化物氣相外延設備（HVPE），不僅填補了國際上HVPE工藝在6英寸及...  [詳內(nèi)文]

捷捷微電/三安光電披露，碳化硅取得新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 18 日 14:06 | 分類 碳化硅SiC
近日，捷捷微電和三安光電在碳化硅領域的最新研發(fā)進展引發(fā)了行業(yè)關注。捷捷微電與中科院微電子研究所等合作研發(fā)碳化硅器件，目前處于小批量封測階段；三安光電熱沉散熱用碳化硅材料研發(fā)進入送樣階段，其8英寸襯底準量產(chǎn)產(chǎn)品已進入主流新能源汽車企業(yè)供應鏈。 捷捷微電：攜手科研機構，推進碳化硅器件...  [詳內(nèi)文]

瞄準碳化硅復合材料等領域，兩家公司簽署合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 17 日 15:27 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，京瓷與Kyoto Fusioneering簽署一項聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，共同為下一代聚變能源工廠研發(fā)先進的陶瓷材料。 據(jù)悉，此次合作將聚焦三個領域： 其一，用于聚變能源工廠的先進碳化硅復合材料，旨在增強其在極端條件下的耐用性和性能。資料顯示，碳化硅復合材料具有優(yōu)異的耐輻射性能，工作...  [詳內(nèi)文]