最新文章

全球新增一座SiC新工廠
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 30 日 14:07 | 分類 碳化硅SiC
7月28日，美國半導體材料與光電元件大廠Coherent公司位于越南同奈省仁澤1號工業(yè)園區(qū)的Coherent越南工廠正式落成。這座投資1.27億美元的高科技制造工廠將主要生產(chǎn)碳化硅（SiC）半導體、光學玻璃以及先進光電元件，廣泛應用于智能手機、電動汽車等領域。 圖片來源：越通社...  [詳內文]

國內又一氮化鎵項目新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 29 日 16:05 | 分類 氮化鎵GaN
憑借高頻、高效、耐高壓等特性，氮化鎵在新一輪半導體革命浪潮中逐漸成為“寵兒”，吸引全球關注。我國氮化鎵技術研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化方面加速突圍，近期國內氮化鎵相關項目傳出新進展。 “汶上縣投資促進服務中心”消息，7月28日，山東汶上縣舉行氮化鎵半導體智能制造項目暨芯片綜合配套項目簽約儀式。這...  [詳內文]

15億元 ，成都士蘭汽車半導體封裝二期項目奠基
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 29 日 16:02 | 分類 企業(yè) , 半導體產(chǎn)業(yè)
近日，成都士蘭汽車半導體封裝二期項目正式奠基，項目總投資達15億元。該項目由杭州士蘭微電子股份有限公司投資建設，總投資達15億元。項目將新建7.9萬平方米的廠房及配套設施設備，并對汽車級功率模塊和功率器件封裝生產(chǎn)線進行擴建。整個項目涵蓋生產(chǎn)廠房、動力站、立體庫等6大單體的現(xiàn)代化產(chǎn)...  [詳內文]

天岳先進、廣州粵升披露碳化硅最新進展！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 29 日 15:56 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)鏈迎來多重突破，國內企業(yè)在市場拓展與技術研發(fā)上齊頭并進。天岳先進成功打開日本市場，開始批量供應碳化硅襯底材料；廣州粵升在8英寸碳化硅外延設備研發(fā)上取得突破性進展。 7月29日，根據(jù)天岳先進官微消息，天岳先進宣布已經(jīng)開始向日本市場批量供應碳化硅襯底材料。20...  [詳內文]

深耕化合物半導體，48所拿下超億元MOCVD設備訂單
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 28 日 17:08 | 分類 半導體產(chǎn)業(yè)
近期，中國電科第四十八研究所（以下簡稱“48所”）與國內某頭部企業(yè)簽訂超億元MOCVD設備訂單，并與國內頭部砷化鎵電池企業(yè)簽訂大規(guī)模MOCVD供貨戰(zhàn)略合作協(xié)議。 據(jù)悉，48所自研的MOCVD設備是一款專用于III-V族化合物半導體材料外延生長的關鍵裝備，該設備以砷/磷材料體系為核...  [詳內文]

強強聯(lián)合，雙巨頭碳化硅合作+1
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 28 日 17:06 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
7月24日，安森美（onsemi）在官網(wǎng)宣布與舍弗勒擴大合作，雙方簽署了一項新的設計協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，安森美的下一代EliteSiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線將為舍弗勒的牽引逆變器提供動力，該逆變器將應用于某全球領先汽車制造商的高端插電式混合動力汽車（PHEV）平臺。 圖片來源：安...  [詳內文]

100億！重慶12英寸晶圓廠擴充產(chǎn)能
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 28 日 15:42 | 分類 企業(yè)
7月25日，新微集團正式宣布，其完成對重慶萬國半導體科技有限公司的戰(zhàn)略收購，并計劃分步啟動百億增資計劃。 圖片來源：新微科技集團 重慶萬國成立于2016年，由中國及兩江新區(qū)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)基金與美國功率半導體巨頭AOS共同出資設立，是中國首家、全球第二家12英寸功率半導體芯片制造...  [詳內文]

山西國科完成A輪億元融資，加速引領Ⅲ-Ⅴ族半導體技術創(chuàng)新
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 25 日 15:09 | 分類 企業(yè)
今年7月，山西國科半導體光電有限公司（以下簡稱“山西國科”）完成A輪億元融資，由太行基金、山證投資、騰飛資本、首業(yè)資本、上海彧好等聯(lián)合投資。 山西國科表示，此次融資將推動公司實現(xiàn)”研發(fā)—生產(chǎn)—市場”的良性循環(huán)，加速光電半導體技術產(chǎn)業(yè)化進程。 資料顯示，山西...  [詳內文]

16.8億元氧化鎵項目迎新進展：預計8月入駐機電設備
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 25 日 15:06 | 分類 氧化鎵
近日，據(jù)上杭融媒公眾號消息，福建晶旭半導體科技有限公司二期項目——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目迎來新進展。 目前最新進展是該項目整個主體建筑已全部封頂；辦公大樓、研發(fā)樓、宿舍正在進行內部精裝修；主體廠房潔凈車間班組已入駐；動力中心正在內部調試，預計8月可進行機...  [詳內文]

華為海思進軍碳化硅領域，兩款工規(guī)SiC器件發(fā)布
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 25 日 15:03 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，華為旗下海思技術有限公司正式進軍碳化硅功率器件領域，推出了兩款1200V工規(guī)SiC單管產(chǎn)品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4，專門面向工業(yè)高溫、高壓場景場景。 圖片來源：海思官網(wǎng)截圖 海思此次推出的兩款1200V SiC單管均采用TO-247-...  [詳內文]