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?參會(huì)提醒 | 集邦咨詢半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇明日舉行（附參會(huì)指南）
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 09 日 14:52 | 分類 研討會(huì)
明日（6月10日），由TrendForce集邦咨詢主辦，時(shí)創(chuàng)意、銓興科技支持的“TSS2025集邦咨詢半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高層論壇”將在深圳福田金茂JW萬(wàn)豪酒店隆重舉行。 為方便出行，順利參會(huì)，小編為大家整理了這份“參會(huì)指南”，希望大家在參會(huì)期間，收獲滿滿。 溫馨提示：本次會(huì)議為面向產(chǎn)業(yè)鏈...  [詳內(nèi)文]

借力IPO，基本半導(dǎo)體中山百萬(wàn)級(jí)SiC封裝線項(xiàng)目獲批
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 09 日 14:17 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月4日，廣東省投資項(xiàng)目在線審批監(jiān)管平臺(tái)發(fā)布了基本半導(dǎo)體（中山）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“基本半導(dǎo)體”）年產(chǎn)100萬(wàn)只碳化硅模塊封裝產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目備案公示，這一重大進(jìn)展，與基本半導(dǎo)體此前5月27日向香港聯(lián)合交易所遞交上市申請(qǐng)的消息相呼應(yīng)。 圖片來(lái)源：廣東省投資項(xiàng)目在線審批監(jiān)管平臺(tái) 此次...  [詳內(nèi)文]

穩(wěn)懋半導(dǎo)體發(fā)布基于SiC襯底的0.12μm GaN HEMT
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 06 日 13:56 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
氮化鎵高電子遷移率晶體管（HEMT）技術(shù)正迎來(lái)重大突破。近日，純化合物半導(dǎo)體代工廠#穩(wěn)懋半導(dǎo)體（WIN Semiconductors）推出基于SiC襯底的0.12微米柵極長(zhǎng)度D型GaN HEMT技術(shù)，預(yù)計(jì)2025年第三季度量產(chǎn)，這將顯著提升高頻射頻電路性能，加速GaN技術(shù)在5G/...  [詳內(nèi)文]

瞄準(zhǔn)車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅，理想發(fā)表重要成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 06 日 13:53 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月5日，理想汽車(chē)官方公眾號(hào)發(fā)文表示，近期理想汽車(chē)在第37屆ISPSD（功率半導(dǎo)體器件和集成電路國(guó)際會(huì)議）上發(fā)表了與車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅相關(guān)的論文。 該篇論文來(lái)自理想汽車(chē)自研SiC芯片團(tuán)隊(duì)，論文題為《1200V汽車(chē)級(jí)碳化硅MOSFET芯片擊穿電壓離群芯片的分析與篩選技術(shù)研究》，展示了碳化...  [詳內(nèi)文]

國(guó)產(chǎn)首顆機(jī)器人關(guān)節(jié)“氮化鎵驅(qū)動(dòng)器芯片”正式商用
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 06 日 13:49 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，中科無(wú)線半導(dǎo)體有限公司正式宣布，其基于氮化鎵（GaN）HEMT工藝的機(jī)器人關(guān)節(jié)ASIC驅(qū)動(dòng)器芯片已成功推出并投入商用。該芯片作為中科半導(dǎo)體機(jī)器人動(dòng)力系統(tǒng)芯片家族 “機(jī)器人關(guān)節(jié)驅(qū)動(dòng)器芯片系列” 的重要一員，具備卓越性能，可有效滿足高功率密度場(chǎng)景需求。 圖片來(lái)源：中科半導(dǎo)體 ...  [詳內(nèi)文]

瑞薩電子：從SiC“斷臂”到GaN戰(zhàn)略性布局
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 05 日 15:30 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近日，日本半導(dǎo)體大廠瑞薩電子（Renesas）傳出解散其碳化硅（SiC）團(tuán)隊(duì)，并取消原定于2025年初的SiC功率半導(dǎo)體量產(chǎn)計(jì)劃，這一消息在半導(dǎo)體行業(yè)激起千層浪。 結(jié)合多方消息顯示，目前瑞薩電子正準(zhǔn)備出售其位于群馬縣高崎工廠的全新碳化硅設(shè)備，而其群馬縣高崎工廠或改回做傳統(tǒng)的硅基市...  [詳內(nèi)文]

羅姆開(kāi)發(fā)100V功率MOSFET新產(chǎn)品，適用于AI服務(wù)器
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 05 日 15:26 | 分類 企業(yè) , 功率
6月3日，羅姆宣布開(kāi)發(fā)出適用于AI服務(wù)器48V電源熱插拔電路的100V功率MOSFET。 圖片來(lái)源：羅姆半導(dǎo)體集團(tuán) 新產(chǎn)品已經(jīng)暫以月產(chǎn)100萬(wàn)個(gè)的規(guī)模投入量產(chǎn)。前道工序的生產(chǎn)基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），后道工序的生產(chǎn)基地為OSAT（泰國(guó)）。另外，新產(chǎn)品已...  [詳內(nèi)文]

總投資2.65億元，第四代金剛石半導(dǎo)體項(xiàng)目落戶烏魯木齊
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 05 日 15:22 | 分類 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
6月4日，烏魯木齊甘泉堡經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)（工業(yè)區(qū)）（以下簡(jiǎn)稱“甘泉堡經(jīng)開(kāi)區(qū)”）與南京儲(chǔ)芯電子科技有限公司、福建大卓控股有限公司正式簽署協(xié)議，標(biāo)志著總投資2.65億元的第四代金剛石半導(dǎo)體項(xiàng)目正式落戶。 圖片來(lái)源：甘泉堡經(jīng)開(kāi)區(qū)零距離 據(jù)了解，該項(xiàng)目計(jì)劃于2025年9月正式開(kāi)工建設(shè)，并力...  [詳內(nèi)文]

《2025全球SiC Power Device市場(chǎng)分析報(bào)告》最新版現(xiàn)已上線！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 04 日 18:04 | 分類 報(bào)告 , 碳化硅SiC
根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新發(fā)布的《全球2025 SiC Power Device市場(chǎng)分析》報(bào)告指出，憑借晶圓技術(shù)升級(jí)和產(chǎn)能迅速擴(kuò)張，SiC功率器件將逐步在高壓應(yīng)用場(chǎng)景（≥900V）確立領(lǐng)導(dǎo)地位，2030年整體市場(chǎng)規(guī)模有望成長(zhǎng)至164億美元。同時(shí)，在核心電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)增長(zhǎng)放...  [詳內(nèi)文]

總投資4.7億元，成都高新區(qū)微波射頻產(chǎn)業(yè)園項(xiàng)目啟動(dòng)建設(shè)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 04 日 18:02 | 分類 企業(yè) , 射頻
成都高新區(qū)正全力打造“微波之都”，近日，據(jù)成都高新區(qū)管委會(huì)官方網(wǎng)站及《成都日?qǐng)?bào)》消息，其核心項(xiàng)目——微波射頻產(chǎn)業(yè)園西區(qū)已于近日正式啟動(dòng)建設(shè)。該項(xiàng)目總投資達(dá)4.7億元，聚焦“制造基地+測(cè)試認(rèn)證中心”功能，旨在進(jìn)一步補(bǔ)強(qiáng)區(qū)域產(chǎn)業(yè)鏈條，搶占微波射頻產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新高地。 圖片來(lái)源：成都...  [詳內(nèi)文]