相關資訊：氮化鎵

CGD宣布與格芯合作，擴大ICeGaN? 產能！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 14 日 17:52 | 分類 氮化鎵GaN
10月13日，劍橋氮化鎵器件公司（Cambridge GaN Devices, 以下簡稱“CGD”）宣布，與全球領先的半導體制造商GlobalFoundries（格芯）達成重要制造合作。 此次合作將大幅增強CGD的供應鏈能力，利用格芯成熟的8英寸晶圓制程，擴大其獨有的ICeGaN...  [詳內文]

擬募資15.5億港元，國內氮化鎵龍頭將擴產
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 11 日 14:13 | 分類 氮化鎵GaN
10月10日，英諾賽科發(fā)布公告表示，擬募資15.5億港元，約4.82億港元用于產能擴充及產品迭代升級。 圖片來源：英諾賽科公告截圖 英諾賽科在公告中指出，公司與配售代理訂立配售協議，配售代理同意作為本公司代理盡力促使不少于六名承配人按照配售協議所載條款并在其條件規(guī)限下購20,7...  [詳內文]

涉及imec、英諾賽科等，氮化鎵新增兩起重磅合作！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 09 日 15:30 | 分類 氮化鎵GaN
在半導體技術不斷革新的當下，氮化鎵憑借其卓越性能成為行業(yè)焦點。近期，氮化鎵領域動作頻頻，比利時微電子研究中心（imec）啟動12英寸氮化鎵項目并公布首批合作伙伴，英諾賽科也攜手聯合電子與納芯微，聚焦新能源汽車功率電子領域展開深度合作，這些動態(tài)為氮化鎵技術的發(fā)展與應用帶來了新的契機...  [詳內文]

氮化鎵新品密集來襲，安費諾、氮矽科技、瑞薩電子相繼發(fā)力
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 09 日 9:22 | 分類 氮化鎵GaN
隨著第三代半導體技術的快速迭代，氮化鎵（GaN）憑借高功率密度、低能耗、耐高溫等核心優(yōu)勢，已成為消費電子、新能源、工業(yè)控制等領域技術升級的關鍵支撐。近期，全球多家半導體及能源科技企業(yè)集中發(fā)力，推出多款基于氮化鎵技術的創(chuàng)新產品。 安費諾推出高效氮化鎵微型逆變器，開辟商用市場新機遇 ...  [詳內文]

英諾賽科亮相PCIM Asia，集中呈現國內氮化鎵最新成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 18:48 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
9月24日至26日，PCIM Asia展會（上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會暨研討會）如火如荼召開，全球氮化鎵功率半導體領先企業(yè)英諾賽科（Innoscience）呈現了其最新的InnoGaN產品系列與多行業(yè)應用方案，吸引眾多業(yè)內人士駐足交流。 PCIM Asia作為亞太地...  [詳內文]

氮化鎵產能進一步釋放，兩家廠商迎重大進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 18:39 | 分類 氮化鎵GaN
近期，氮化鎵半導體領域發(fā)展勢頭強勁，山東鎵數智能科技有限公司與東部高科DB HiTek分別傳來重要消息。山東鎵數氮化鎵單晶襯底項目全面達產，在產能建設與市場拓展方面成果顯著；與此同時，東部高科650V GaN HEMT工藝開發(fā)進入最終階段，并計劃推出專屬氮化鎵多項目晶圓項目，同時...  [詳內文]

功率半導體大廠將進軍氮化鎵市場！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 25 日 13:04 | 分類 功率 , 氮化鎵GaN
在全球科技加速向清潔能源與智能化轉型的浪潮中，功率半導體市場正迎來新一輪技術革新與產業(yè)變革。作為行業(yè)領軍者，東芝電子元件近期動作頻頻，在碳化硅（SiC）、IGBT等領域持續(xù)深耕并取得顯著成果后，又將戰(zhàn)略目光投向了氮化鎵（GaN）這一極具潛力的新興領域。 東芝電子元件將進軍氮化鎵市...  [詳內文]

煙山科技率先打通8英寸硅基氮化鎵MicroLED混合集成工藝
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 19 日 14:14 | 分類 氮化鎵GaN
近日，莫干山基金已投項目煙山科技在MicroLED核心制造工藝上取得了重大突破。該公司率先在8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）平臺上完成了混合集成（Hybrid Bonding）工藝的全流程打通，并成功點亮了大尺寸MicroLED面板。 與傳統鍵合集成工藝相比，Hybrid ...  [詳內文]

中鎵半導體實現6/8英寸GaN襯底制備
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 18 日 14:26 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，東莞市中鎵半導體科技有限公司（以下簡稱“中鎵半導體”）宣布取得重大技術突破，成功攻克6英寸及8英寸氮化鎵（GaN）單晶襯底的制備技術。 圖片來源：中鎵半導體 這一成果依托于#中鎵半導體 自主研發(fā)的超大型氫化物氣相外延設備（HVPE），不僅填補了國際上HVPE工藝在6英寸及...  [詳內文]

全球首個氮化鎵量子光源芯片獲工信部點名
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 17 日 15:24 | 分類 氮化鎵GaN
近期，國務院新聞辦公室在北京舉行“高質量完成‘十四五’規(guī)劃”系列主題新聞發(fā)布會。 會上，工業(yè)和信息化部副部長辛國斌提到，“十四五”期間，國家高新區(qū)內先后誕生了全球首臺超導量子計算機、全球首個通用人工智能系統原型等原創(chuàng)技術和產品。今年上半年，全球首個氮化鎵量子光源芯片在成都高新區(qū)正...  [詳內文]