文章分類： 氮化鎵GaN

CGD宣布與格芯合作，擴(kuò)大ICeGaN? 產(chǎn)能！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 14 日 17:52 |
| 分類: 氮化鎵GaN
10月13日，劍橋氮化鎵器件公司（Cambridge GaN Devices, 以下簡(jiǎn)稱“CGD”）宣布，與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商GlobalFoundries（格芯）達(dá)成重要制造合作。 此次合作將大幅增強(qiáng)CGD的供應(yīng)鏈能力，利用格芯成熟的8英寸晶圓制程，擴(kuò)大其獨(dú)有的ICeGaN...  [詳內(nèi)文]

擬募資15.5億港元，國(guó)內(nèi)氮化鎵龍頭將擴(kuò)產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 11 日 14:13 |
| 分類: 氮化鎵GaN
10月10日，英諾賽科發(fā)布公告表示，擬募資15.5億港元，約4.82億港元用于產(chǎn)能擴(kuò)充及產(chǎn)品迭代升級(jí)。 圖片來(lái)源：英諾賽科公告截圖 英諾賽科在公告中指出，公司與配售代理訂立配售協(xié)議，配售代理同意作為本公司代理盡力促使不少于六名承配人按照配售協(xié)議所載條款并在其條件規(guī)限下購(gòu)20,7...  [詳內(nèi)文]

涉及imec、英諾賽科等，氮化鎵新增兩起重磅合作！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 09 日 15:30 |
| 分類: 氮化鎵GaN
在半導(dǎo)體技術(shù)不斷革新的當(dāng)下，氮化鎵憑借其卓越性能成為行業(yè)焦點(diǎn)。近期，氮化鎵領(lǐng)域動(dòng)作頻頻，比利時(shí)微電子研究中心（imec）啟動(dòng)12英寸氮化鎵項(xiàng)目并公布首批合作伙伴，英諾賽科也攜手聯(lián)合電子與納芯微，聚焦新能源汽車功率電子領(lǐng)域展開深度合作，這些動(dòng)態(tài)為氮化鎵技術(shù)的發(fā)展與應(yīng)用帶來(lái)了新的契機(jī)...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵新品密集來(lái)襲，安費(fèi)諾、氮矽科技、瑞薩電子相繼發(fā)力

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 10 月 09 日 9:22 |
| 分類: 氮化鎵GaN
隨著第三代半導(dǎo)體技術(shù)的快速迭代，氮化鎵（GaN）憑借高功率密度、低能耗、耐高溫等核心優(yōu)勢(shì)，已成為消費(fèi)電子、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域技術(shù)升級(jí)的關(guān)鍵支撐。近期，全球多家半導(dǎo)體及能源科技企業(yè)集中發(fā)力，推出多款基于氮化鎵技術(shù)的創(chuàng)新產(chǎn)品。 安費(fèi)諾推出高效氮化鎵微型逆變器，開辟商用市場(chǎng)新機(jī)遇 ...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科亮相PCIM Asia，集中呈現(xiàn)國(guó)內(nèi)氮化鎵最新成果

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 28 日 18:48 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
9月24日至26日，PCIM Asia展會(huì)（上海國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)暨研討會(huì)）如火如荼召開，全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)英諾賽科（Innoscience）呈現(xiàn)了其最新的InnoGaN產(chǎn)品系列與多行業(yè)應(yīng)用方案，吸引眾多業(yè)內(nèi)人士駐足交流。 PCIM Asia作為亞太地...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵產(chǎn)能進(jìn)一步釋放，兩家廠商迎重大進(jìn)展

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 28 日 18:39 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，氮化鎵半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展勢(shì)頭強(qiáng)勁，山東鎵數(shù)智能科技有限公司與東部高科DB HiTek分別傳來(lái)重要消息。山東鎵數(shù)氮化鎵單晶襯底項(xiàng)目全面達(dá)產(chǎn)，在產(chǎn)能建設(shè)與市場(chǎng)拓展方面成果顯著；與此同時(shí)，東部高科650V GaN HEMT工藝開發(fā)進(jìn)入最終階段，并計(jì)劃推出專屬氮化鎵多項(xiàng)目晶圓項(xiàng)目，同時(shí)...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體大廠將進(jìn)軍氮化鎵市場(chǎng)！

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 25 日 13:04 |
| 分類: 功率 , 氮化鎵GaN
在全球科技加速向清潔能源與智能化轉(zhuǎn)型的浪潮中，功率半導(dǎo)體市場(chǎng)正迎來(lái)新一輪技術(shù)革新與產(chǎn)業(yè)變革。作為行業(yè)領(lǐng)軍者，東芝電子元件近期動(dòng)作頻頻，在碳化硅（SiC）、IGBT等領(lǐng)域持續(xù)深耕并取得顯著成果后，又將戰(zhàn)略目光投向了氮化鎵（GaN）這一極具潛力的新興領(lǐng)域。 東芝電子元件將進(jìn)軍氮化鎵市...  [詳內(nèi)文]

煙山科技率先打通8英寸硅基氮化鎵MicroLED混合集成工藝

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 19 日 14:14 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近日，莫干山基金已投項(xiàng)目煙山科技在MicroLED核心制造工藝上取得了重大突破。該公司率先在8英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）平臺(tái)上完成了混合集成（Hybrid Bonding）工藝的全流程打通，并成功點(diǎn)亮了大尺寸MicroLED面板。 與傳統(tǒng)鍵合集成工藝相比，Hybrid ...  [詳內(nèi)文]

中鎵半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)6/8英寸GaN襯底制備

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 18 日 14:26 |
| 分類: 企業(yè) , 氮化鎵GaN
近日，東莞市中鎵半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“中鎵半導(dǎo)體”）宣布取得重大技術(shù)突破，成功攻克6英寸及8英寸氮化鎵（GaN）單晶襯底的制備技術(shù)。 圖片來(lái)源：中鎵半導(dǎo)體 這一成果依托于#中鎵半導(dǎo)體 自主研發(fā)的超大型氫化物氣相外延設(shè)備（HVPE），不僅填補(bǔ)了國(guó)際上HVPE工藝在6英寸及...  [詳內(nèi)文]

全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片獲工信部點(diǎn)名

作者 | 發(fā)布日期: 2025 年 09 月 17 日 15:24 |
| 分類: 氮化鎵GaN
近期，國(guó)務(wù)院新聞辦公室在北京舉行“高質(zhì)量完成‘十四五’規(guī)劃”系列主題新聞發(fā)布會(huì)。 會(huì)上，工業(yè)和信息化部副部長(zhǎng)辛國(guó)斌提到，“十四五”期間，國(guó)家高新區(qū)內(nèi)先后誕生了全球首臺(tái)超導(dǎo)量子計(jì)算機(jī)、全球首個(gè)通用人工智能系統(tǒng)原型等原創(chuàng)技術(shù)和產(chǎn)品。今年上半年，全球首個(gè)氮化鎵量子光源芯片在成都高新區(qū)正...  [詳內(nèi)文]