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華潤(rùn)微旗下公司發(fā)力，氮化鎵外延片項(xiàng)目將投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 16:06 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
海創(chuàng)集團(tuán)官微消息，近日，潤(rùn)新微電子集團(tuán)有限公司與大連海創(chuàng)集團(tuán)有限公司下屬建設(shè)發(fā)展公司正式達(dá)成戰(zhàn)略合作，宣布入駐黃泥川智能制造產(chǎn)業(yè)園。 上述項(xiàng)目是第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延材料和電子元器件研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化的重要基地總建筑面積6238.38平方米，同時(shí)配套有占地面積2966.6平方米的附屬設(shè)...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)廠商科瑞爾完成新一輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 16:06 | 分類 企業(yè) , 功率
近期媒體報(bào)道，科瑞爾科技宣布完成數(shù)千萬(wàn)元A+輪融資，資方為浙創(chuàng)投，資金將用于產(chǎn)品研發(fā)與運(yùn)營(yíng)資金補(bǔ)充。此前，該公司已經(jīng)獲得中車資本戰(zhàn)略投資。 資料顯示，科瑞爾科技成立于2014年，是業(yè)內(nèi)同時(shí)具備IGBT模塊自動(dòng)化產(chǎn)線設(shè)計(jì)和單站核心設(shè)備研發(fā)能力的企業(yè)，主營(yíng)產(chǎn)品已經(jīng)獲得國(guó)內(nèi)大多數(shù)頭部功...  [詳內(nèi)文]

安世半導(dǎo)體推出采用行業(yè)領(lǐng)先頂部散熱型封裝X.PAK的1200 V SiC MOSFET
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 10:52 | 分類 碳化硅SiC
近日，Nexperia（安世半導(dǎo)體）正式推出一系列性能高效、穩(wěn)定可靠的工業(yè)級(jí)1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。該系列器件在溫度穩(wěn)定性方面表現(xiàn)出色，采用創(chuàng)新的表面貼裝 (SMD) 頂部散熱封裝技術(shù)X.PAK。X.PAK封裝外形緊湊，尺寸僅為14 mm ×18.5 mm，巧...  [詳內(nèi)文]

意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)戰(zhàn)略合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 20 日 10:41 | 分類 碳化硅SiC
近日，意法半導(dǎo)體與重慶郵電大學(xué)在重慶安意法半導(dǎo)體碳化硅晶圓廠通線儀式后的“碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇”上正式簽署產(chǎn)學(xué)研戰(zhàn)略合作協(xié)議。 雙方將在以下三方面展開(kāi)產(chǎn)學(xué)研資源深度融合： 共建創(chuàng)新平臺(tái)：意法半導(dǎo)體在智能功率技術(shù)、寬禁帶帶隙半導(dǎo)體、汽車芯片、邊緣人工智能、傳感以及數(shù)字和混合信號(hào)技術(shù)等...  [詳內(nèi)文]

超高壓碳化硅大功率芯片項(xiàng)目簽約
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 18:08 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
據(jù)普州大地消息，近期，四川普州大地城市產(chǎn)銀科技發(fā)展有限公司與新加坡拓譜電子公司（Singapore TOPO electronic Pte, LTD）成功簽署合作協(xié)議，標(biāo)志著雙方在半導(dǎo)體領(lǐng)域邁出了重要的合作步伐。 source：普州大地 根據(jù)協(xié)議，雙方將共同成立一家專注于超高壓...  [詳內(nèi)文]

揚(yáng)杰科技、悉智科技碳化硅新動(dòng)態(tài)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 18:06 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，小米Su7 Ultra新能源汽車引發(fā)業(yè)界廣泛關(guān)注，據(jù)媒體披露，小米SU7 Ultra全車預(yù)計(jì)使用172顆SiC芯片，覆蓋電驅(qū)系統(tǒng)、車載電源和空調(diào)壓縮機(jī)控制器等核心部件。這種全域應(yīng)用不僅強(qiáng)化了車輛的動(dòng)力性能，還通過(guò)減小系統(tǒng)體積和重量，助力車身輕量化設(shè)計(jì)。 碳化硅（SiC）作為...  [詳內(nèi)文]

最新，安森美/比亞迪在碳化硅功率取得進(jìn)展！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 18:00 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，安森美和比亞迪相繼推出了碳化硅技術(shù)/新品，引起市場(chǎng)諸多關(guān)注。 01 安森美推出基于1200V碳化硅的智能功率模塊 3月18日，安森美官微宣布推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。 s...  [詳內(nèi)文]

EPC專利被判決無(wú)效，英諾賽科獲ITC案件終極勝利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:19 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 企業(yè) , 氮化鎵GaN
3月19日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“英諾賽科”）宣布，其在與美國(guó)宜普公司（EfficientpowerConversionCorporation，EPC）發(fā)起的專利侵權(quán)案中取得決定性勝利。 3月18日,美國(guó)專利局（USPTO）對(duì)EPC涉案專利(US’294號(hào)專...  [詳內(nèi)文]

安徽格恩半導(dǎo)體申請(qǐng)氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器專利
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:07 | 分類 氮化鎵GaN
近日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器”的專利。 專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導(dǎo)體激光元件技術(shù)領(lǐng)域，具體公開(kāi)了一種氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器。該氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導(dǎo)層、有源層、上...  [詳內(nèi)文]

?安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本
作者 |發(fā)布日期 2025 年 03 月 19 日 14:02 | 分類 功率
近日，安森美推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。與使用第7代場(chǎng)截止（FS7）IGBT技術(shù)相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝尺寸中提供超高的能效和功率密度，從而...  [詳內(nèi)文]