Author Archives: KikiWang

兩大千億級國企重組！資源+技術(shù)助推碳化硅升級
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 30 日 13:52 | 分類 碳化硅SiC
9月25日，河南省委、省政府正式批復(fù)，中國平煤神馬控股集團有限公司（簡稱“平煤神馬”）將與河南能源集團有限公司（簡稱“河南能源”）開展全方位戰(zhàn)略重組。此次重組涉及多家上市公司，包括平煤股份、神馬股份、易成新能、硅烷科技以及大有能源，均已發(fā)布相關(guān)公告。 圖片來源：平煤股份公告截圖...  [詳內(nèi)文]

美國功率半導(dǎo)體企業(yè)宣布硅功率MOSFET技術(shù)突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 29 日 15:29 | 分類 功率
美國功率半導(dǎo)體企業(yè)iDEAL Semiconductor宣布，其超高效率SuperQ?硅功率元件已正式在Polar Semiconductor投產(chǎn)，為美國本土供應(yīng)鏈注入新動能。 SuperQ是硅MOSFET架構(gòu)的重大突破，首次采用專利不對稱RESURF結(jié)構(gòu)，這種設(shè)計能讓MOSFE...  [詳內(nèi)文]

踐行綠色使命，天科合達(dá)獲ISO14067碳足跡認(rèn)證
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 29 日 15:25 | 分類 企業(yè)
在全球“雙碳”目標(biāo)不斷推進(jìn)的今天，科技企業(yè)不僅肩負(fù)技術(shù)創(chuàng)新的使命，更需以實際行動回應(yīng)環(huán)保責(zé)任。作為第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底領(lǐng)域的核心材料供應(yīng)商，天科合達(dá)始終深知，產(chǎn)品的高效與節(jié)能特性本身就是對環(huán)境保護(hù)的重要貢獻(xiàn)。但我們并未止步于此——我們更希望清晰衡量并管理產(chǎn)品全生命周期的碳足跡，...  [詳內(nèi)文]

5家企業(yè)SiC新品集中亮相
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 29 日 15:20 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
9月，碳化硅（SiC）領(lǐng)域新品動態(tài)頻繁，英飛凌、羅姆半導(dǎo)體、方正微電子、茂睿芯、Wolfspeed等企業(yè)紛紛發(fā)力，陸續(xù)推出多款產(chǎn)品，覆蓋功率器件、模塊、材料等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，應(yīng)用場景涵蓋光伏、儲能、新能源汽車、工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域。 1、茂睿芯 9月22日，茂睿芯官微宣布，正式推出國內(nèi)首款直...  [詳內(nèi)文]

美國能源部啟動TRACE-Ga計劃，助力構(gòu)建本土鎵供應(yīng)鏈
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 19:13 | 分類 化合物半導(dǎo)體
近日，美國能源部（DOE）化石能源和碳管理辦公室正式宣布啟動鎵回收和先進(jìn)關(guān)鍵材料提取技術(shù)（TRACE-Ga）計劃。 鎵作為第三代半導(dǎo)體材料的核心原料，在新能源汽車、5G通信、光伏設(shè)備以及軍事裝備等眾多關(guān)鍵領(lǐng)域發(fā)揮著不可替代的作用。隨著全球?qū)Φ谌雽?dǎo)體產(chǎn)品需求的持續(xù)攀升，鎵的戰(zhàn)略...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域再增兩起重磅合作
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 19:06 | 分類 功率
近期，功率半導(dǎo)體領(lǐng)域合作動態(tài)不斷，英飛凌與羅姆在碳化硅領(lǐng)域簽署合作備忘錄，就SiC功率器件封裝展開合作并計劃擴大合作范圍；與此同時，爍科晶體與韓國EYEQ Lab、NAMUGA達(dá)成戰(zhàn)略合作，在SiC襯底方面深度綁定。 英飛凌與羅姆達(dá)成碳化硅領(lǐng)域合作 近期，英飛凌宣布與羅姆就建立S...  [詳內(nèi)文]

這條12英寸SiC中試線正式通線！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 19:02 | 分類 碳化硅SiC
9月26日，據(jù)晶盛機電官微宣布，其旗下子公司浙江晶瑞SuperSiC首條12英寸碳化硅（SiC）襯底加工中試線正式通線。浙江晶瑞SuperSiC真正實現(xiàn)了從晶體生長、加工到檢測環(huán)節(jié)的全線設(shè)備自主研發(fā)，100%國產(chǎn)化。 圖片來源：晶盛機電 據(jù)晶盛機電介紹，該中試線覆蓋了晶體加工，...  [詳內(nèi)文]

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所：氮化物片上光通信獲突破
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 18:54 | 分類 化合物半導(dǎo)體
近日，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所#寬禁帶半導(dǎo)體 研發(fā)中心王軍喜、魏同波研究員團隊，與復(fù)旦大學(xué)沈超研究員、沙特國王科技大學(xué)李曉航副教授合作，制備出氮化物片上日盲光通信集成器件，并搭建了可以實時傳輸視頻信號的片上光通信集成系統(tǒng)。 該研究成果以“III-Nitride Micro-Arra...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科亮相PCIM Asia，集中呈現(xiàn)國內(nèi)氮化鎵最新成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 18:48 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
9月24日至26日，PCIM Asia展會（上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會暨研討會）如火如荼召開，全球氮化鎵功率半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)英諾賽科（Innoscience）呈現(xiàn)了其最新的InnoGaN產(chǎn)品系列與多行業(yè)應(yīng)用方案，吸引眾多業(yè)內(nèi)人士駐足交流。 PCIM Asia作為亞太地...  [詳內(nèi)文]

氮化鎵產(chǎn)能進(jìn)一步釋放，兩家廠商迎重大進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 09 月 28 日 18:39 | 分類 氮化鎵GaN
近期，氮化鎵半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)展勢頭強勁，山東鎵數(shù)智能科技有限公司與東部高科DB HiTek分別傳來重要消息。山東鎵數(shù)氮化鎵單晶襯底項目全面達(dá)產(chǎn)，在產(chǎn)能建設(shè)與市場拓展方面成果顯著；與此同時，東部高科650V GaN HEMT工藝開發(fā)進(jìn)入最終階段，并計劃推出專屬氮化鎵多項目晶圓項目，同時...  [詳內(nèi)文]