Author Archives: KikiWang

推動功率半導體器件突破，晶能與中車時代半導體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 09 日 14:14 | 分類 企業(yè) , 半導體產(chǎn)業(yè)
浙江晶能微電子有限公司（以下簡稱“晶能”）與株洲中車時代半導體有限公司（以下簡稱“中車時代半導體”）于近日簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議。此次合作聚焦于Si、SiC、GaN等功率半導體器件的芯片設計、工藝創(chuàng)新、模塊封裝及測試驗證等關(guān)鍵領(lǐng)域，旨在共同推動功率半導體技術(shù)的突破與產(chǎn)業(yè)化。 圖片來...  [詳內(nèi)文]

四部門重磅發(fā)文，加快高壓碳化硅模塊等核心器件國產(chǎn)化替代
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 08 日 14:10 | 分類 碳化硅SiC
近期，國家發(fā)展改革委辦公廳等四部門發(fā)布《關(guān)于促進大功率充電設施科學規(guī)劃建設的通知》。 上述通知提出，推動大功率充電技術(shù)創(chuàng)新應用。充電運營企業(yè)要加強充電裝備技術(shù)升級，提高大功率充電設施的運行效率和使用壽命。 鼓勵對分體式設備采用大功率充電優(yōu)先的功率分配策略。 加快高壓碳化硅模塊、主...  [詳內(nèi)文]

新品爆發(fā)，英諾賽科/wolfspeed/英飛凌/羅姆等企業(yè)加速競逐
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 08 日 14:05 | 分類 企業(yè) , 半導體產(chǎn)業(yè) , 氮化鎵GaN
以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體材料持續(xù)推動功率電子和通信領(lǐng)域的技術(shù)革新。從新能源汽車到5G基站，從工業(yè)設備到消費電子，這些寬禁帶材料正憑借高頻、高效、高功率密度的特性重塑產(chǎn)業(yè)格局。 近期，第三代半導體領(lǐng)域迎來一輪新品爆發(fā)期，英諾賽科、Wolfspeed、...  [詳內(nèi)文]

權(quán)力的游戲：舊王、新貴與一場材料革命，功率半導體產(chǎn)業(yè)何去何從？
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 08 日 13:58 | 分類 產(chǎn)業(yè) , 半導體產(chǎn)業(yè)
引子：十字路口的暗戰(zhàn) 當下的功率半導體市場，正上演一場無聲的暗戰(zhàn)。這不是傳統(tǒng)的市場份額爭奪，而是一場關(guān)乎產(chǎn)業(yè)模式、技術(shù)路線乃至地緣格局的大洗牌。戰(zhàn)場的中央，三股力量正在激烈碰撞，共同塑造著行業(yè)的未來。 第一股力量，是統(tǒng)治這片疆域數(shù)十年的舊日帝國——以英飛凌（Infineon）、意...  [詳內(nèi)文]

納設智能碳化硅設備新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 07 日 14:30 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
深圳特區(qū)報近日報道，深圳市納設智能裝備股份有限公司（以下簡稱“納設智能”）在碳化硅裝備技術(shù)上取得了突破。 當前碳化硅憑借優(yōu)異性能在新能源汽車、智能電網(wǎng)等下游領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大應用潛力，然而應用于碳化硅材料生產(chǎn)核心環(huán)節(jié)的外延設備其國產(chǎn)化之路卻面臨諸多阻礙，高溫沉積均勻性設備穩(wěn)定性等核心...  [詳內(nèi)文]

深圳出臺專項政策設立50億元基金，發(fā)力化合物半導體領(lǐng)域
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 07 日 14:26 | 分類 半導體產(chǎn)業(yè)
近日，深圳出臺《深圳市關(guān)于促進半導體與集成電路產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的若干措施》（以下簡稱《若干措施》），并設立總規(guī)模50億元的“賽米產(chǎn)業(yè)私募基金”，以“政策+資本”組合拳推動半導體產(chǎn)業(yè)鏈全鏈條優(yōu)化提質(zhì)。 《若干措施》圍繞“強鏈、穩(wěn)鏈、補鏈”目標，提出10條具體支持舉措，其中“加速化合物...  [詳內(nèi)文]

CSEAC 2025，九月與您相約無錫
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 07 日 14:16 | 分類 展會
第十三屆半導體設備與核心部件及材料展（CSEAC 2025），2025年9月4日至6日，將在無錫太湖國際博覽中心舉行。 CSEAC以“專業(yè)化、產(chǎn)業(yè)化、國際化”為宗旨，是我國半導體設備與核心部件及材料領(lǐng)域最具知名度的年度性展會，集“技術(shù)交流、展覽展示、產(chǎn)品發(fā)布、經(jīng)貿(mào)洽談、國際合作及...  [詳內(nèi)文]

年產(chǎn)24萬片8英寸碳化硅晶圓廠正式奠基！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 07 日 14:04 | 分類 碳化硅SiC
7月4日，浙江晶盛機電股份有限公司（JSG）旗下子公司浙江晶瑞SuperSiC(Malaysia)SdnBhd在馬來西亞檳城柏淡（Bertam）科技園舉辦新廠房奠基儀式，項目聚焦填補馬來西亞半導體產(chǎn)業(yè)中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)——先進晶圓制造能力的空白。 圖片來源：晶盛機電 該新廠區(qū)占地面積...  [詳內(nèi)文]

聚焦中大功率半導體，蘇州固锝與合肥能源研究院聯(lián)合實驗室揭牌
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 04 日 14:37 | 分類 企業(yè) , 功率
近期，蘇州固锝電子股份有限公司（以下簡稱“蘇州固锝”）與合肥綜合性國家科學中心能源研究院攜手舉行“中大功率半導體先進封裝設計與工藝研發(fā)聯(lián)合實驗室” 簽約暨揭牌儀式，正式開啟雙方在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域的深度合作。 資料顯示，蘇州固锝是國內(nèi)功率器件制造商，擁有分立半導體芯片設計、晶圓制造、封...  [詳內(nèi)文]

英飛凌：12英寸GaN晶圓量產(chǎn)在即
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 04 日 14:34 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
7月3日，英飛凌在其官方網(wǎng)站宣布，其基于12英寸晶圓的可擴展氮化鎵（GaN）制造技術(shù)已取得突破性進展。這一里程碑標志著GaN功率器件的大規(guī)模商業(yè)化生產(chǎn)邁出了關(guān)鍵一步，首批樣品預計將于2025年第四季度交付客戶。 圖片來源：英飛凌官網(wǎng)截圖 氮化鎵作為新一代寬禁帶半導體材料，以其卓...  [詳內(nèi)文]