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智新半導(dǎo)體1700V SiC MOSFET模塊正式下線
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 25 日 14:06 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月23日，智新半導(dǎo)體六周年暨第100萬只模塊下線儀式舉行。 圖片來源：智新科技 活動(dòng)現(xiàn)場，智新科技副總經(jīng)理曹永軍介紹，六年來，智新半導(dǎo)體體系能力持續(xù)增強(qiáng)，產(chǎn)品平臺不斷豐富，今年銷量同比大幅增長，兩條產(chǎn)線產(chǎn)能利用率逐步飽滿，開發(fā)的多款領(lǐng)先功率模塊產(chǎn)品填補(bǔ)了東風(fēng)空白，應(yīng)用于多款新...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成并購過會(huì)，SiC芯片版圖戰(zhàn)略再升級
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 25 日 14:05 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月24日，芯聯(lián)集成電路制造股份有限公司（以下簡稱“芯聯(lián)集成”）發(fā)布公告稱，公司發(fā)行股份及支付現(xiàn)金購買#芯聯(lián)越州 集成電路制造（紹興）有限公司（以下簡稱“芯聯(lián)越州”）72.33%股權(quán)項(xiàng)目獲上海證券交易所并購重組審核委員會(huì)審議通過。 圖片來源：芯聯(lián)集成公告截圖 此次并購重組的順利...  [詳內(nèi)文]

15億投建，這一8英寸碳化硅產(chǎn)線完成備案
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 25 日 14:03 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月20日，浙江省投資項(xiàng)目在線審批監(jiān)管平臺發(fā)布了浙江晶瑞電子材料有限公司年產(chǎn)60萬片8英寸碳化硅襯底片切磨拋產(chǎn)線項(xiàng)目的備案公示。該生產(chǎn)線規(guī)劃年產(chǎn)60萬片8英寸碳化硅襯底，預(yù)計(jì)投產(chǎn)后將提升國內(nèi)碳化硅材料的自給率，助力新能源汽車、光伏儲(chǔ)能等領(lǐng)域的快速發(fā)展。 圖片來源：備案公示截圖 ...  [詳內(nèi)文]

麻省理工學(xué)院推出氮化鎵與硅芯片3D集成新技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 24 日 14:44 | 分類 氮化鎵GaN
近日，麻省理工學(xué)院（MIT）的研究團(tuán)隊(duì)取得了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，開發(fā)出一種創(chuàng)新的制造工藝，能夠?qū)⒏咝阅艿墸℅aN）晶體管與標(biāo)準(zhǔn)硅芯片進(jìn)行三維集成。這一成果有望顯著提升高頻應(yīng)用（如視頻通話和實(shí)時(shí)深度學(xué)習(xí)）的性能表現(xiàn)，為半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展開辟新的道路。 圖片來源：麻省理工學(xué)院新聞 ...  [詳內(nèi)文]

羅姆為英偉達(dá)800V HVDC架構(gòu)提供高性能電源解決方案
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 24 日 14:27 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
6月23日，羅姆宣布成為支持英偉達(dá)全新800V高壓直流（HVDC）架構(gòu)的主要硅供應(yīng)商之一。 羅姆介紹，公司不僅提供硅（Si）功率元器件，還擁有包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等#寬禁帶半導(dǎo)體?在內(nèi)的豐富產(chǎn)品陣容，可為數(shù)據(jù)中心的設(shè)計(jì)提供更優(yōu)解決方案。 羅姆的Si MOSFET...  [詳內(nèi)文]

英飛凌強(qiáng)調(diào)：看好AI和機(jī)器人，加速中國本土化戰(zhàn)略
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 23 日 14:42 | 分類 企業(yè)
英飛凌科技全球高級副總裁潘大偉近日表示，公司高度看好人工智能（AI）和機(jī)器人市場的前景，計(jì)劃加大相關(guān)投入，并提供硅、碳化硅、氮化鎵三種產(chǎn)品組合。在中國市場，英飛凌已實(shí)現(xiàn)大中華區(qū)占總營收 34% 的成績，將加速產(chǎn)品本土化和生產(chǎn)，以應(yīng)對“中國速度”。 英飛凌預(yù)計(jì)2025財(cái)年AI相關(guān)業(yè)...  [詳內(nèi)文]

簽約落戶，正式投產(chǎn)，兩項(xiàng)三代半項(xiàng)目獲新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 23 日 14:37 | 分類 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
近日，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域兩大項(xiàng)目獲得新進(jìn)展——斯達(dá)半導(dǎo)體功率器件全球制造總部項(xiàng)目簽約落戶，諾天碳化硅半導(dǎo)體設(shè)備與基材生產(chǎn)基地項(xiàng)目舉行投產(chǎn)儀式，兩個(gè)項(xiàng)目相繼為該產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新動(dòng)力。   01、斯達(dá)半導(dǎo)體功率器件全球制造總部項(xiàng)目簽約落戶 6月18日，嘉興市南湖區(qū)舉行上市鏈主企...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed宣布達(dá)成重組協(xié)議：削減70%債務(wù)，獲得2.75億美元新融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 23 日 14:32 | 分類 企業(yè)
6月22日，Wolfspeed宣布，為主動(dòng)優(yōu)化資本結(jié)構(gòu)、加速盈利進(jìn)程，已與主要債權(quán)人達(dá)成《重組支持協(xié)議》（Restructuring Support Agreement, RSA）。此舉旨在通過大幅削減債務(wù)、強(qiáng)化財(cái)務(wù)基礎(chǔ)，確保公司在快速增長的電氣化市場中保持領(lǐng)先地位并實(shí)現(xiàn)長期盈利...  [詳內(nèi)文]

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室GaN課題組迎新成果
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 23 日 14:29 | 分類 氮化鎵GaN
近期，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室的論文《肖特基型p-GaN柵HEMT中雙跨導(dǎo)峰與單跨導(dǎo)峰的演變：部分耗盡與完全耗盡p-GaN層的影響》被IEEE ISPSD確認(rèn)接收，論文第一作者為劉軒博士，通訊作者為萬玉喜、David Zhou。 IEEE ISPSD涵蓋了功率半導(dǎo)體器件、功率集成電路、工藝...  [詳內(nèi)文]

韓國材料巨頭攜手日本百年陶瓷技術(shù)企業(yè)：聯(lián)合開發(fā)碳化硅新產(chǎn)品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 06 月 23 日 14:23 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
6月16日，韓國LG化學(xué)與日本Noritake共同宣布，成功開發(fā)出專用于碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的高性能銀漿。該產(chǎn)品可耐受300℃高溫環(huán)境，有助于解決電動(dòng)車功率模塊長期面臨的芯片粘合技術(shù)瓶頸，為下一代800V高壓平臺及自動(dòng)駕駛系統(tǒng)提供了關(guān)鍵材料支撐。 圖片來源：LG化學(xué) LG ...  [詳內(nèi)文]