最新文章

臺積電宣布退出/調(diào)整6、8英寸產(chǎn)能，SiC、GaN受關(guān)注！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 13 日 14:09 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月12日，全球晶圓代工龍頭臺積電（TSMC）披露，董事會已決定在未來兩年內(nèi)逐步退出6英寸晶圓制造業(yè)務(wù)，并持續(xù)整并8英寸晶圓產(chǎn)能。此舉對第三代半導體的碳化硅和氮化鎵產(chǎn)生了不同程度的影響。 臺積電在聲明中指出，此項決定不會影響公司先前公布的財務(wù)目標，即2025年美元營收將增長約30...  [詳內(nèi)文]

全球首款！超寬帶寬氮化硼光子憶阻器問世
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 12 日 13:52 | 分類 化合物半導體
近日，國際頂級學術(shù)期刊《自然?納米技術(shù)》（Nature Nanotechnology）發(fā)表了一項最新研究成果——超寬帶氮化硼光子憶阻器問世。該研究由阿卜杜拉國王科技大學張西祥教授領(lǐng)銜的國際團隊共同完成，為 “感知-存儲-計算一體化” 的人工智能視覺系統(tǒng)發(fā)展帶來了重大突破。 圖片...  [詳內(nèi)文]

深圳在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破性進展！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 12 日 13:49 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
“深圳國資”官微消息，近期由市屬國企深重投集團與深圳市科技創(chuàng)新局聯(lián)合打造的國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破性進展。 國創(chuàng)中心首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量氮化鋁鎵/氮化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延。這一成果...  [詳內(nèi)文]

天岳先進大力擴產(chǎn)，港股募約17.64億元！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 12 日 13:38 | 分類 企業(yè)
8月11日，山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）正式開啟港股招股，計劃全球發(fā)售4774.57萬股H股，其中香港發(fā)售占5%，國際發(fā)售占95%，發(fā)售價將不高于42.8港元。此次IPO引入了國能環(huán)保、未來資產(chǎn)證券、山金資產(chǎn)、和而泰等5名基石投資者，合計認購約7.4億港元...  [詳內(nèi)文]

總投資6.3億，第三代等先進半導體項目（二期）通過竣工驗收！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 11 日 17:14 | 分類 半導體產(chǎn)業(yè)
近日，據(jù)北京順義最新消息，順義區(qū)第三代等先進半導體產(chǎn)業(yè)標準化廠房項目（二期）順利通過竣工驗收。該項目位于順義新城3401街區(qū)，由科創(chuàng)集團投資建設(shè)，總投資額達到6.3億元人民幣。 項目占地面積4萬平方米，總建筑面積6.47萬平方米，其中地上建筑面積53708.03平方米，地下建筑面...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed、英諾賽科動態(tài)，涉及碳化硅、氮化鎵新品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 11 日 17:05 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
第三代半導體領(lǐng)域，Wolfspeed與英諾賽科近日推出創(chuàng)新產(chǎn)品——Wolfspeed發(fā)布第四代1200V車規(guī)級碳化硅MOSFET，英諾賽科推出全球首款100V氮化鎵低邊驅(qū)動IC，雙雙發(fā)力，為新能源汽車動力系統(tǒng)與電池管理生態(tài)注入新動能。 1、Wolfspeed推出第四代1200V車...  [詳內(nèi)文]

國際首次突破！深圳平湖實驗室攻克GaN/SiC單片集成技術(shù)瓶頸
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 11 日 16:52 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，深圳平湖實驗室官微宣布，深圳平湖實驗室近日在GaN/SiC集成領(lǐng)域取得突破性進展，在國際上首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延。 據(jù)了解，該成果打破了大尺寸GaN與SiC材料單片集成的技術(shù)瓶頸，為GaN/SiC混合器件的發(fā)...  [詳內(nèi)文]

中芯國際：未來將配合建立SiC、GaN等第三代半導體產(chǎn)能
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 11 日 16:42 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍在業(yè)績會上表示，公司未來將根據(jù)國際客戶的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）等第三代半導體產(chǎn)能。 這一戰(zhàn)略舉措標志著中芯國際在第三代半導體領(lǐng)域的進一步拓展，旨在滿足國內(nèi)市場對高端半導體產(chǎn)品的需求，...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)射頻新篇章，歐益睿芯6英寸GaN工藝平臺開放
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 11 日 14:39 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
隨著5G/6G通信、雷達系統(tǒng)、衛(wèi)星互連等高頻高功率應用場景的快速發(fā)展，碳化硅襯底氮化鎵（GaN on SiC）技術(shù)已成為全球半導體產(chǎn)業(yè)的競爭焦點。在國際廠商主導的市場格局下，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的自主化進程對高可靠性、高性能、低成本的本土工藝平臺需求日益迫切。 近日，合肥歐益睿芯科技有限公...  [詳內(nèi)文]

英國這家初創(chuàng)公司，憑兩大新專利進軍GaN與SiC市場
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 11 日 14:01 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
隨著寬禁帶半導體領(lǐng)域部分核心專利陸續(xù)到期，一場技術(shù)創(chuàng)新的浪潮正悄然興起。英國初創(chuàng)公司#柵源漏半導體（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住這一歷史機遇，正專注于研發(fā)新一代的專利保護型寬禁帶半導體材料與器件。該公司計劃在未來2-3年內(nèi)，推出垂直...  [詳內(nèi)文]