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港交所將迎中國碳化硅芯片首股，第三代半導(dǎo)體資本競速
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:20 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月27日，深圳基本半導(dǎo)體股份有限公司（簡稱“基本半導(dǎo)體”）正式向港交所遞交上市申請，中信證券、國金證券（香港）及中銀國際擔任聯(lián)席保薦人，這也是中國碳化硅功率器件第一家赴港提交上市申請的廠商。 圖片來源：基本半導(dǎo)體上市申請書截圖 基本半導(dǎo)體成立于2016年，總部位于深圳，作為國...  [詳內(nèi)文]

封頂/投產(chǎn)，國內(nèi)兩個化合物半導(dǎo)體項目新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:18 | 分類 企業(yè) , 氧化鎵 , 碳化硅SiC
從氮化鎵（GaN）的“秒充”革命到碳化硅（SiC）在新能源汽車中的規(guī)?；瘧?yīng)用，化合物半導(dǎo)體正加速重構(gòu)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭格局，為5G通信、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機驅(qū)動等領(lǐng)域注入新動能。隨著市場對高性能、高能效半導(dǎo)體器件需求的激增，國內(nèi)化合物半導(dǎo)體項目層出不窮。近期，兩個相關(guān)項目傳出新進展，...  [詳內(nèi)文]

羅姆首款高耐壓GaN驅(qū)動器IC量產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 28 日 14:16 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
5月27日，羅姆宣布推出一款適用于600V級高耐壓GaN HEMT驅(qū)動的隔離型柵極驅(qū)動器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通過與本產(chǎn)品組合使用，可使GaN器件在高頻、高速開關(guān)過程中實現(xiàn)更穩(wěn)定的驅(qū)動，有助于電機和服務(wù)器電源等大電流應(yīng)用進一步縮減體積并提高效率。 圖片來源：羅姆半...  [詳內(nèi)文]

頭部大廠碳化硅設(shè)備再獲訂單
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 27 日 15:50 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，中導(dǎo)光電 披露，公司NanoPro-150納米級晶圓檢測設(shè)備再次獲得全球碳化硅（SiC）行業(yè)頭部客戶的復(fù)購訂單，將用于該客戶8英寸SiC晶圓前道制程的缺陷檢測。 圖片來源：中導(dǎo)光電 相較于傳統(tǒng)6英寸SiC晶圓，8英寸SiC在單位成本、生產(chǎn)效率和良率控制上具有顯著優(yōu)勢，是未...  [詳內(nèi)文]

新加坡迎來一條8英寸碳化硅相關(guān)產(chǎn)線，亞洲第三代半導(dǎo)體競賽再升級
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 27 日 15:48 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，#新加坡科技研究局（A-STAR）宣布啟動全球首條200毫米（8英寸）碳化硅（SiC）工業(yè)級開放研發(fā)生產(chǎn)線。 圖片來源：A-STAR圖為A-STAR首席執(zhí)行官 Beh Kian Teik? 該生產(chǎn)線由ASTAR微電子研究所（IME）運營，整合了從材料生長、缺陷分析到器件制...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed高層大調(diào)整與財務(wù)重組
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 27 日 15:47 | 分類 企業(yè)
近期，全球碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者Wolfspeed正經(jīng)歷一場全面的領(lǐng)導(dǎo)層重塑與財務(wù)結(jié)構(gòu)優(yōu)化，以應(yīng)對當前的挑戰(zhàn)并為未來的發(fā)展奠定基礎(chǔ)。 5月23日，Wolfspeed宣布了一項最新人事任命，公司正式任命行業(yè)資深人士David Emerson博士為新設(shè)立的執(zhí)行副總裁兼首席運營官（...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體融資項目+2，金額超6億
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 26 日 15:29 | 分類 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
近日，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的臻驅(qū)科技與Finwave Semiconductor兩家企業(yè)相繼獲得重要融資，為行業(yè)的持續(xù)創(chuàng)新與突破注入了強勁動力。   01、臻驅(qū)科技獲6億元銀團貸款 根據(jù)臻驅(qū)科技官微消息，5月20日，臻驅(qū)科技在上海完成6億元人民幣銀團貸款簽約，由上?？苿?chuàng)銀行...  [詳內(nèi)文]

株洲中車8英寸SiC產(chǎn)線披露最新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 26 日 15:24 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
5月21日，株洲中車董事長李東林在“先進軌道交通行業(yè)專場”說明會上透露了公司在碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)的最新進展。 株洲中車正加快8英寸碳化硅產(chǎn)線建設(shè)，其中三期8英寸SiC晶圓項目已于2024年11月啟動，計劃2025年5月完成主體廠房封頂，年底前實現(xiàn)整線貫通。公司現(xiàn)有的6英寸SiC...  [詳內(nèi)文]

武漢一批集成電路重大項目迎來重大進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 26 日 15:21 | 分類 企業(yè)
據(jù)中國光谷消息，近兩月，杉數(shù)科技、此芯科技、君原電子等多家集成電路產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)陸續(xù)簽約落戶光谷，設(shè)立研發(fā)機構(gòu)及產(chǎn)線。近一年，圍繞存儲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，光谷新簽約億元以上項目約30個，涵蓋核心設(shè)備、零部件、關(guān)鍵原材料、EDA軟件、晶圓制造、封測、模組等各個領(lǐng)域。 經(jīng)過20年的積累，從20...  [詳內(nèi)文]

英偉達攜手納微升級電源架構(gòu)，氮化鎵和碳化硅發(fā)揮核心作用
作者 |發(fā)布日期 2025 年 05 月 23 日 16:31 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
當?shù)貢r間5月21日，納微半導(dǎo)體宣布與英偉達達成戰(zhàn)略合作，共同開發(fā)基于氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）技術(shù)的800V高壓直流（HVDC）電源架構(gòu)，該技術(shù)將率先應(yīng)用于英偉達下一代AI數(shù)據(jù)中心及Rubin Ultra計算平臺。 圖片來源：納微半導(dǎo)體 當前數(shù)據(jù)中心普遍采用54V低壓配...  [詳內(nèi)文]