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全球新增一座SiC新工廠
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 30 日 14:07 | 分類 碳化硅SiC
7月28日，美國半導(dǎo)體材料與光電元件大廠Coherent公司位于越南同奈省仁澤1號工業(yè)園區(qū)的Coherent越南工廠正式落成。這座投資1.27億美元的高科技制造工廠將主要生產(chǎn)碳化硅（SiC）半導(dǎo)體、光學(xué)玻璃以及先進光電元件，廣泛應(yīng)用于智能手機、電動汽車等領(lǐng)域。 圖片來源：越通社...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)又一氮化鎵項目新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 29 日 16:05 | 分類 氮化鎵GaN
憑借高頻、高效、耐高壓等特性，氮化鎵在新一輪半導(dǎo)體革命浪潮中逐漸成為“寵兒”，吸引全球關(guān)注。我國氮化鎵技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化方面加速突圍，近期國內(nèi)氮化鎵相關(guān)項目傳出新進展。 “汶上縣投資促進服務(wù)中心”消息，7月28日，山東汶上縣舉行氮化鎵半導(dǎo)體智能制造項目暨芯片綜合配套項目簽約儀式。這...  [詳內(nèi)文]

15億元 ，成都士蘭汽車半導(dǎo)體封裝二期項目奠基
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 29 日 16:02 | 分類 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
近日，成都士蘭汽車半導(dǎo)體封裝二期項目正式奠基，項目總投資達15億元。該項目由杭州士蘭微電子股份有限公司投資建設(shè)，總投資達15億元。項目將新建7.9萬平方米的廠房及配套設(shè)施設(shè)備，并對汽車級功率模塊和功率器件封裝生產(chǎn)線進行擴建。整個項目涵蓋生產(chǎn)廠房、動力站、立體庫等6大單體的現(xiàn)代化產(chǎn)...  [詳內(nèi)文]

天岳先進、廣州粵升披露碳化硅最新進展！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 29 日 15:56 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)鏈迎來多重突破，國內(nèi)企業(yè)在市場拓展與技術(shù)研發(fā)上齊頭并進。天岳先進成功打開日本市場，開始批量供應(yīng)碳化硅襯底材料；廣州粵升在8英寸碳化硅外延設(shè)備研發(fā)上取得突破性進展。 7月29日，根據(jù)天岳先進官微消息，天岳先進宣布已經(jīng)開始向日本市場批量供應(yīng)碳化硅襯底材料。20...  [詳內(nèi)文]

深耕化合物半導(dǎo)體，48所拿下超億元MOCVD設(shè)備訂單
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 28 日 17:08 | 分類 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
近期，中國電科第四十八研究所（以下簡稱“48所”）與國內(nèi)某頭部企業(yè)簽訂超億元MOCVD設(shè)備訂單，并與國內(nèi)頭部砷化鎵電池企業(yè)簽訂大規(guī)模MOCVD供貨戰(zhàn)略合作協(xié)議。 據(jù)悉，48所自研的MOCVD設(shè)備是一款專用于III-V族化合物半導(dǎo)體材料外延生長的關(guān)鍵裝備，該設(shè)備以砷/磷材料體系為核...  [詳內(nèi)文]

強強聯(lián)合，雙巨頭碳化硅合作+1
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 28 日 17:06 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
7月24日，安森美（onsemi）在官網(wǎng)宣布與舍弗勒擴大合作，雙方簽署了一項新的設(shè)計協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，安森美的下一代EliteSiC碳化硅MOSFET產(chǎn)品線將為舍弗勒的牽引逆變器提供動力，該逆變器將應(yīng)用于某全球領(lǐng)先汽車制造商的高端插電式混合動力汽車（PHEV）平臺。 圖片來源：安...  [詳內(nèi)文]

100億！重慶12英寸晶圓廠擴充產(chǎn)能
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 28 日 15:42 | 分類 企業(yè)
7月25日，新微集團正式宣布，其完成對重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司的戰(zhàn)略收購，并計劃分步啟動百億增資計劃。 圖片來源：新微科技集團 重慶萬國成立于2016年，由中國及兩江新區(qū)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)基金與美國功率半導(dǎo)體巨頭AOS共同出資設(shè)立，是中國首家、全球第二家12英寸功率半導(dǎo)體芯片制造...  [詳內(nèi)文]

山西國科完成A輪億元融資，加速引領(lǐng)Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 25 日 15:09 | 分類 企業(yè)
今年7月，山西國科半導(dǎo)體光電有限公司（以下簡稱“山西國科”）完成A輪億元融資，由太行基金、山證投資、騰飛資本、首業(yè)資本、上海彧好等聯(lián)合投資。 山西國科表示，此次融資將推動公司實現(xiàn)”研發(fā)—生產(chǎn)—市場”的良性循環(huán)，加速光電半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)業(yè)化進程。 資料顯示，山西...  [詳內(nèi)文]

16.8億元氧化鎵項目迎新進展：預(yù)計8月入駐機電設(shè)備
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 25 日 15:06 | 分類 氧化鎵
近日，據(jù)上杭融媒公眾號消息，福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司二期項目——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目迎來新進展。 目前最新進展是該項目整個主體建筑已全部封頂；辦公大樓、研發(fā)樓、宿舍正在進行內(nèi)部精裝修；主體廠房潔凈車間班組已入駐；動力中心正在內(nèi)部調(diào)試，預(yù)計8月可進行機...  [詳內(nèi)文]

華為海思進軍碳化硅領(lǐng)域，兩款工規(guī)SiC器件發(fā)布
作者 |發(fā)布日期 2025 年 07 月 25 日 15:03 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，華為旗下海思技術(shù)有限公司正式進軍碳化硅功率器件領(lǐng)域，推出了兩款1200V工規(guī)SiC單管產(chǎn)品——ASO1K2H035M1T4和ASO1K2H020M1T4，專門面向工業(yè)高溫、高壓場景場景。 圖片來源：海思官網(wǎng)截圖 海思此次推出的兩款1200V SiC單管均采用TO-247-...  [詳內(nèi)文]