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鎵仁半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 16 日 18:27 | 分類 氧化鎵
近日，杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導(dǎo)體”）宣布在氧化鎵同質(zhì)外延技術(shù)上取得重大突破，成功實(shí)現(xiàn)了高質(zhì)量6英寸氧化鎵同質(zhì)外延生長。 此次鎵仁半導(dǎo)體 的6英寸氧化鎵同質(zhì)外延片表現(xiàn)優(yōu)異。外延層厚度超過10微米，厚度均勻性優(yōu)異，方差σ小于1%。高分辨XRD搖擺曲線半高寬小于40弧...  [詳內(nèi)文]

功率半導(dǎo)體大廠談氮化鎵前景
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 16 日 18:27 | 分類 氮化鎵GaN
10月13日，瑞薩電子官微發(fā)文，介紹了瑞薩及其GaN（氮化鎵）技術(shù)發(fā)展征程，氮化鎵應(yīng)用情況，以及未來氮化鎵面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)會(huì)。 2024年瑞薩電子收購GaN領(lǐng)域的先驅(qū)企業(yè)Transphorm，進(jìn)而完成了布局氮化鎵的關(guān)鍵一步。此次收購，瑞薩獲得了Transphorm的GaN知識(shí)產(chǎn)權(quán)、...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)12英寸SiC再傳捷報(bào)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 16 日 18:27 | 分類 碳化硅SiC
近日，天成半導(dǎo)體官微宣布，依托自主研發(fā)的12英寸碳化硅長晶設(shè)備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，12英寸N型碳化硅單晶材料晶體?有效厚度突破35mm厚。 據(jù)悉，天成半導(dǎo)體現(xiàn)已掌握12英寸高純半絕緣和N型單晶生長雙成熟工藝，且自研的長晶設(shè)備可產(chǎn)出直徑達(dá)到350mm的單晶材...  [詳內(nèi)文]

全碳化硅充電系統(tǒng)落地湖南，最快1秒1公里
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 14 日 18:00 | 分類 碳化硅SiC
近日，國網(wǎng)湖南電科院“全碳化硅構(gòu)網(wǎng)型10千伏直掛超級(jí)充電系統(tǒng)”通過國家能源局能源領(lǐng)域首臺(tái)（套）重大技術(shù)裝備評(píng)審，并在湖南湘江新區(qū)一處超級(jí)充電站試運(yùn)行，充電速度最快達(dá)1秒1公里。 該超級(jí)充電站配備了6個(gè)充電樁和11把充電槍，可同時(shí)滿足11輛車的充放電需求。其充電速度極快，最快可達(dá)1...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體與兆易創(chuàng)新成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，涉及碳化硅、氮化鎵領(lǐng)域
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 14 日 17:57 | 分類 碳化硅SiC
“納微芯球”官微消息，近期納微半導(dǎo)體與兆易創(chuàng)新GigaDevice共同設(shè)立的“數(shù)字能源聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”在合肥揭牌。 圖片來源：納微芯球 該實(shí)驗(yàn)室將納微半導(dǎo)體在高頻、高速、高集成度氮化鎵以及擁有溝槽輔助平面技術(shù)的GeneSiC碳化硅領(lǐng)域的產(chǎn)品優(yōu)勢與兆易創(chuàng)新在GD32 MCU領(lǐng)域的深厚...  [詳內(nèi)文]

CGD宣布與格芯合作，擴(kuò)大ICeGaN? 產(chǎn)能！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 14 日 17:52 | 分類 氮化鎵GaN
10月13日，劍橋氮化鎵器件公司（Cambridge GaN Devices, 以下簡稱“CGD”）宣布，與全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商GlobalFoundries（格芯）達(dá)成重要制造合作。 此次合作將大幅增強(qiáng)CGD的供應(yīng)鏈能力，利用格芯成熟的8英寸晶圓制程，擴(kuò)大其獨(dú)有的ICeGaN...  [詳內(nèi)文]

上海出臺(tái)新措施，加快培育第四代半導(dǎo)體等領(lǐng)域
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 13 日 18:02 | 分類 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
10月11日，上海召開市政府新聞發(fā)布會(huì)，介紹最新出臺(tái)的《關(guān)于加快推動(dòng)前沿技術(shù)創(chuàng)新與未來產(chǎn)業(yè)培育的若干措施》。 發(fā)布會(huì)上，上海市科委副主任屈煒透露，上海圍繞未來制造、未來信息、未來材料、未來能源、未來空間、未來健康六大方向，分近、中、遠(yuǎn)三個(gè)層次，合理規(guī)劃、分層推進(jìn)、精準(zhǔn)培育。其中包...  [詳內(nèi)文]

總投資10億元，車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體項(xiàng)目簽約落地廣州佛山
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 13 日 17:59 | 分類 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
“南海桂城”官微消息，近期，重慶云潼科技有限公司（以下簡稱“云潼科技”）#車規(guī)級(jí)半導(dǎo)體 項(xiàng)目簽約儀式在廣東佛山舉行，標(biāo)志著這一國內(nèi)車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)正式落戶桂城文翰湖國際科創(chuàng)合作區(qū)。 圖片來源：南海融媒 項(xiàng)目總投資10億元，將建設(shè)云潼科技華南總部，打造成專用集成電路...  [詳內(nèi)文]

碳化硅交付熱潮：芯聯(lián)集成、悉智科技新進(jìn)展公布
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 13 日 17:47 | 分類 碳化硅SiC
受益于新能源汽車的蓬勃發(fā)展，碳化硅材料憑借其獨(dú)特性能優(yōu)勢，正成為推動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)技術(shù)革新的關(guān)鍵力量。近期，汽車領(lǐng)域碳化硅交付傳出新進(jìn)展：芯聯(lián)集成與理想汽車攜手開啟碳化硅產(chǎn)品量產(chǎn)交付；與此同時(shí)，悉智科技也宣布其第10萬顆SiC車載電驅(qū)模塊順利下線。兩起事件均展現(xiàn)出碳化硅技術(shù)在新能源汽車...  [詳內(nèi)文]

武漢光谷先進(jìn)封裝二期預(yù)計(jì)10月開工
作者 |發(fā)布日期 2025 年 10 月 11 日 14:23 | 分類 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
10月9日，武漢市舉行2025年四季度全市重大項(xiàng)目建設(shè)推進(jìn)會(huì)。 會(huì)上，東湖高新區(qū)相關(guān)負(fù)責(zé)人表示，位于東湖高新區(qū)光谷一路的先進(jìn)封裝綜合實(shí)驗(yàn)平臺(tái)二期及產(chǎn)業(yè)化基地項(xiàng)目，計(jì)劃10月開工，明年10月通線試運(yùn)行，建設(shè)國內(nèi)高端芯片先進(jìn)封裝量產(chǎn)線，將中試平臺(tái)創(chuàng)新成果直接導(dǎo)入量產(chǎn)，構(gòu)建以實(shí)驗(yàn)室為引...  [詳內(nèi)文]