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新微半導(dǎo)體：氮化鎵功率全工藝平臺(tái)年產(chǎn)能突破60,000片
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:40 | 分類 氮化鎵GaN
近期，由臨港新片區(qū)管理委員會(huì)指導(dǎo)，新微半導(dǎo)體主辦的“氮化鎵驅(qū)動(dòng)AI芯時(shí)代——臨港氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)鏈峰會(huì)”成功舉行。 會(huì)上，新微半導(dǎo)體宣布其100V-200V氮化鎵功率工藝平臺(tái)發(fā)布，同時(shí)該公司氮化鎵功率全工藝平臺(tái)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)能突破60,000片。 圖片來源：新微半導(dǎo)體 新微半導(dǎo)體指出...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)紹興集成電路產(chǎn)業(yè)基金成立，兩大半導(dǎo)體項(xiàng)目同步落地
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:37 | 分類 企業(yè) , 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
近期，芯聯(lián)集成在資本、財(cái)務(wù)及技術(shù)端密集布局。12月2日，公司正式設(shè)立產(chǎn)業(yè)基金并綁定關(guān)鍵供應(yīng)商，此前三季報(bào)顯示營收增長近兩成且虧損大幅收窄。結(jié)合最新發(fā)布的碳化硅G2.0技術(shù)平臺(tái)，公司正通過“補(bǔ)鏈”與“擴(kuò)產(chǎn)”雙管齊下，為2026年預(yù)期的扭虧為盈目標(biāo)積蓄動(dòng)能。 圖片來源：芯聯(lián)集成官微...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科“朋友圈”+1，攜手安森美劍指200毫米氮化鎵技術(shù)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:29 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
12月3日，英諾賽科（Innoscience）與安森美（Onsemi）半導(dǎo)體共同宣布，雙方簽署諒解備忘錄，探討利用Innoscience經(jīng)過驗(yàn)證的200毫米氮化鎵對(duì)硅工藝，擴(kuò)大氮化鎵（GaN）功率器件的生產(chǎn)。 圖片來源：英諾賽科新聞稿截圖 此次合作將結(jié)合Onsemi的系統(tǒng)集成、...  [詳內(nèi)文]

全球首個(gè)8英寸藍(lán)寶石基氮化鎵功率器件量產(chǎn)落地
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:17 | 分類 氮化鎵GaN
近日，廣東致能半導(dǎo)體官微宣布，于2025年11月攜手國際知名8英寸Fab完成全球首個(gè)8英寸藍(lán)寶石基氮化鎵功率器件量產(chǎn)落地。 圖片來源：廣東致能半導(dǎo)體官微 據(jù)介紹，致能半導(dǎo)體通過導(dǎo)入行業(yè)領(lǐng)先的制造工藝及創(chuàng)新的技術(shù)平臺(tái)，產(chǎn)品在芯片尺寸、生產(chǎn)成本、電學(xué)性能、制造一致性等核心指標(biāo)方面均...  [詳內(nèi)文]

這個(gè)碳化硅芯片封裝項(xiàng)目正式落地成都
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 16:12 | 分類 碳化硅SiC
中科光智近期完成B輪融資首家簽約并獲數(shù)千萬元投資，碳化硅芯片封裝設(shè)備研發(fā)制造中心正式落地成都金牛，將填補(bǔ)區(qū)域半導(dǎo)體制造后道環(huán)節(jié)空白。 圖片來源：中科光智 項(xiàng)目落地金牛區(qū)，補(bǔ)強(qiáng)半導(dǎo)體封測(cè)產(chǎn)業(yè)鏈 近期，成都市金牛區(qū)人民政府與中科光智簽署投資合作協(xié)議，標(biāo)志著碳化硅芯片封裝設(shè)備研發(fā)制造中...  [詳內(nèi)文]

1.14億港元，LED企業(yè)收購氮化鎵廠商
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 05 日 15:52 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
12月1日，宏光半導(dǎo)體發(fā)布公告，擬以約1.14億元港元收購深圳鎵宏半導(dǎo)體約12.98%的股權(quán)，加碼第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。 交易方式上，代價(jià)A將由宏光半導(dǎo)體通過向賣方A各自的代名人配發(fā)及發(fā)行合共14677萬股股份的方式支付，發(fā)行價(jià)為每股0.50港元。代價(jià)B將由公司通過向賣方B發(fā)行承兌票...  [詳內(nèi)文]

芯上微裝首臺(tái)350nm步進(jìn)光刻機(jī)發(fā)運(yùn)，助力國產(chǎn)化合物半導(dǎo)體
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 02 日 18:33 | 分類 化合物半導(dǎo)體
近期，上海芯上微裝科技股份有限公司（以下簡稱“芯上微裝”）自主研發(fā)的首臺(tái)350nm步進(jìn)光刻機(jī)（AST6200 ）正式完成出廠調(diào)試與驗(yàn)收，啟程發(fā)往客戶現(xiàn)場(chǎng)，將為國產(chǎn)化合物半導(dǎo)體制造提供強(qiáng)有力的核心裝備支撐。 圖片來源：芯上微裝 AST6200光刻機(jī)是芯上微裝基于多年光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)、...  [詳內(nèi)文]

TrendForce集邦咨詢分析師亮相APCSCRM 2025，深度解析SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)趨勢(shì)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 02 日 18:25 | 分類 功率 , 化合物半導(dǎo)體 , 展會(huì)
第六屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會(huì)議（APCSCRM 2025）于11月25日至27日在鄭州中原國際會(huì)展中心圓滿落幕。本屆大會(huì)以“芯聯(lián)新世界，智啟源未來（Wide Bandgap, Wider Future）”為主題，匯聚了全球十多個(gè)國家和地區(qū)的800余位專家學(xué)者、企業(yè)代表及行業(yè)精...  [詳內(nèi)文]

晶盛機(jī)電、三安光電碳化硅新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 02 日 17:23 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
近期，碳化硅領(lǐng)域新進(jìn)展不斷。三安光電全資子公司湖南三安舉行碳化硅芯片上車儀式，與理想汽車合作邁入新階段，未來還將加大研發(fā)投入鞏固優(yōu)勢(shì)；晶盛機(jī)電在接受鵬華基金調(diào)研時(shí)，回應(yīng)了碳化硅產(chǎn)能、不同尺寸進(jìn)展等問題，其業(yè)務(wù)成果顯著，并對(duì)碳化硅未來前景充滿信心。 01、三安光電碳化硅芯片成功上車...  [詳內(nèi)文]

9mΩ車規(guī)級(jí)GaN FET：打破功率氮化鎵能效天花板？
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 01 日 17:58 | 分類 氮化鎵GaN
近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009系列650V 9mΩ車規(guī)級(jí)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（GaN FET）。這款符合汽車AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的650V氮化鎵分立器件，以全球最小的9mΩ導(dǎo)通電阻（Rds(on)），將為新能源汽車、工業(yè)電機(jī)、儲(chǔ)能系統(tǒng)、光伏逆變等多領(lǐng)域帶來更多技術(shù)突破的...  [詳內(nèi)文]