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瑞薩電子推出全新GaN充電方案
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 25 日 14:29 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN
3月23日，Renesas（瑞薩電子）宣布，推出基于氮化鎵（GaN）的半波LLC（Half-wavd LLC, HWLLC）平臺(tái)及其四款控制器IC RRW11011、RRW30120、RRW40120和RRW43110，進(jìn)一步擴(kuò)展其交流/直流（AC/DC）轉(zhuǎn)換器及電源適配器解決方...  [詳內(nèi)文]

博世、Wolfspeed公布最新碳化硅技術(shù)進(jìn)展！
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 25 日 14:25 | 分類(lèi) 碳化硅SiC
AI與HPC時(shí)代，對(duì)高效能、高穩(wěn)定性的半導(dǎo)體材料需求激增，碳化硅憑借其出色的熱導(dǎo)率、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度及低開(kāi)關(guān)損耗等特性，成為推動(dòng)這些領(lǐng)域發(fā)展的關(guān)鍵力量。博世與Wolfspeed作為碳化硅技術(shù)的領(lǐng)航者，不斷突破技術(shù)邊界，為碳化硅的廣泛應(yīng)用鋪平道路。近期，兩家大廠傳出最新進(jìn)展。 01、...  [詳內(nèi)文]

三星8英寸GaN生產(chǎn)線將就緒
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 24 日 15:08 | 分類(lèi) 氮化鎵GaN
據(jù)韓媒THE ELEC于2026年3月19日?qǐng)?bào)道，三星的8英寸氮化鎵（GaN）生產(chǎn)線已準(zhǔn)備就緒。 三星半導(dǎo)體在2023年曾宣布其功率半導(dǎo)體晶圓廠將于2025年投產(chǎn)，但實(shí)際進(jìn)度有所滯后。據(jù)最新行業(yè)消息，三星的首條8英寸GaN生產(chǎn)線預(yù)計(jì)最快將于2026年第二季度投產(chǎn)，初期營(yíng)收規(guī)模預(yù)計(jì)...  [詳內(nèi)文]

億元融資扎堆，多家第三代半導(dǎo)體企業(yè)獲投
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 24 日 14:58 | 分類(lèi) 企業(yè)
近日，第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域融資熱度持續(xù)攀升，杭州創(chuàng)銳光譜科技集團(tuán)有限公司（下稱(chēng)“創(chuàng)銳光譜”）完成超億元A輪融資，蘇州鎵耀半導(dǎo)體科技有限公司（下稱(chēng)“蘇州鎵耀半導(dǎo)體”）正式完成近億元A輪融資，山東晶鎵半導(dǎo)體有限公司（下稱(chēng)“山東晶鎵半導(dǎo)體”）順利完成Pre-A輪融資。 1、山東晶鎵半導(dǎo)體超...  [詳內(nèi)文]

增幅19%，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商注冊(cè)資本增至44億元
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 23 日 15:41 | 分類(lèi) 企業(yè)
近日，國(guó)內(nèi)第三代化合物半導(dǎo)體廠商英諾賽科（蘇州）半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“英諾賽科”）發(fā)生工商變更，注冊(cè)資本增至44億元，相較此前的37億元，增幅達(dá)19%。 資料顯示，英諾賽科成立于2015年，由英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司全資持股，是氮化鎵工藝創(chuàng)新與功率器件制造廠商，其氮化...  [詳內(nèi)文]

兩大功率半導(dǎo)體項(xiàng)目迎新進(jìn)展！
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 23 日 15:36 | 分類(lèi) 功率
近日，浙江省發(fā)改委正式印發(fā)浙江省擴(kuò)大有效投資?“千項(xiàng)萬(wàn)億”?工程2026年第一批重大建設(shè)項(xiàng)目清單。一大批集成電路、半導(dǎo)體、功率器件、晶圓制造、先進(jìn)封測(cè)、存儲(chǔ)芯片、光掩膜、半導(dǎo)體材料及設(shè)備項(xiàng)目集中入選。 其中涉及功率半導(dǎo)體的項(xiàng)目包括浙江瞻芯電子科技有限公司年產(chǎn)10.2萬(wàn)片碳化硅功率...  [詳內(nèi)文]

攻克超大尺寸難題，硅來(lái)實(shí)現(xiàn)12英寸碳化硅激光剝離量產(chǎn)設(shè)備規(guī)?；桓?/a>
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 23 日 15:03 | 分類(lèi) 企業(yè) , 碳化硅SiC
近日，硅來(lái)半導(dǎo)體（武漢）有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“硅來(lái)”）第三批兼容12英寸碳化硅襯底激光剝離量產(chǎn)設(shè)備順利交付客戶(hù)。本次交付標(biāo)志著硅來(lái)超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術(shù)已經(jīng)成功通過(guò)產(chǎn)業(yè)化檢驗(yàn)，將為碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新的動(dòng)能。 圖片來(lái)源：硅來(lái)半導(dǎo)體 01、自主創(chuàng)新工藝領(lǐng)先，解決超大尺寸碳化...  [詳內(nèi)文]

長(zhǎng)光華芯增資關(guān)聯(lián)方，加碼高端磷化銦激光器芯片
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 20 日 17:40 | 分類(lèi) 企業(yè) , 磷化銦
3月18日晚間，長(zhǎng)光華芯發(fā)布公告稱(chēng)，公司全資子公司蘇州長(zhǎng)光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司（下稱(chēng)“研究院”）擬出資800萬(wàn)元，認(rèn)購(gòu)關(guān)聯(lián)方蘇州星沅光電科技有限公司（下稱(chēng)“星沅光電”）新增注冊(cè)資本62.5萬(wàn)元。本次增資構(gòu)成關(guān)聯(lián)交易，已履行相關(guān)審議程序。 公告顯示，星沅光電本輪總增資2...  [詳內(nèi)文]

瀚天天成啟動(dòng)全球發(fā)售，即將在聯(lián)交所掛牌上市
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 20 日 17:35 | 分類(lèi) 企業(yè)
近日，媒體報(bào)道，3月20日至3月25日期間，瀚天天成開(kāi)啟全球發(fā)售，計(jì)劃發(fā)行約2149.21萬(wàn)股H股，每股發(fā)售價(jià)定為76.26港元，預(yù)計(jì)3月30日在聯(lián)交所正式掛牌上市。 此次發(fā)售中，香港公開(kāi)發(fā)售部分占比10%，國(guó)際發(fā)售部分占比90%。公司引入了基石投資者廈門(mén)先進(jìn)制造業(yè)基金，其協(xié)議認(rèn)...  [詳內(nèi)文]