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臺(tái)積電宣布退出/調(diào)整6、8英寸產(chǎn)能，SiC、GaN受關(guān)注！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 13 日 14:09 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月12日，全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電（TSMC）披露，董事會(huì)已決定在未來兩年內(nèi)逐步退出6英寸晶圓制造業(yè)務(wù)，并持續(xù)整并8英寸晶圓產(chǎn)能。此舉對(duì)第三代半導(dǎo)體的碳化硅和氮化鎵產(chǎn)生了不同程度的影響。 臺(tái)積電在聲明中指出，此項(xiàng)決定不會(huì)影響公司先前公布的財(cái)務(wù)目標(biāo)，即2025年美元營收將增長約30...  [詳內(nèi)文]

全球首款！超寬帶寬氮化硼光子憶阻器問世
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 12 日 13:52 | 分類 化合物半導(dǎo)體
近日，國際頂級(jí)學(xué)術(shù)期刊《自然?納米技術(shù)》（Nature Nanotechnology）發(fā)表了一項(xiàng)最新研究成果——超寬帶氮化硼光子憶阻器問世。該研究由阿卜杜拉國王科技大學(xué)張西祥教授領(lǐng)銜的國際團(tuán)隊(duì)共同完成，為 “感知-存儲(chǔ)-計(jì)算一體化” 的人工智能視覺系統(tǒng)發(fā)展帶來了重大突破。 圖片...  [詳內(nèi)文]

深圳在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 12 日 13:49 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
“深圳國資”官微消息，近期由市屬國企深重投集團(tuán)與深圳市科技創(chuàng)新局聯(lián)合打造的國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心深圳綜合平臺(tái)（以下簡稱“國創(chuàng)中心”）在氮化鎵/碳化硅集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展。 國創(chuàng)中心首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量氮化鋁鎵/氮化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延。這一成果...  [詳內(nèi)文]

天岳先進(jìn)大力擴(kuò)產(chǎn)，港股募約17.64億元！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 12 日 13:38 | 分類 企業(yè)
8月11日，山東天岳先進(jìn)科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進(jìn)”）正式開啟港股招股，計(jì)劃全球發(fā)售4774.57萬股H股，其中香港發(fā)售占5%，國際發(fā)售占95%，發(fā)售價(jià)將不高于42.8港元。此次IPO引入了國能環(huán)保、未來資產(chǎn)證券、山金資產(chǎn)、和而泰等5名基石投資者，合計(jì)認(rèn)購約7.4億港元...  [詳內(nèi)文]

總投資6.3億，第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體項(xiàng)目（二期）通過竣工驗(yàn)收！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 11 日 17:14 | 分類 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
近日，據(jù)北京順義最新消息，順義區(qū)第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）順利通過竣工驗(yàn)收。該項(xiàng)目位于順義新城3401街區(qū)，由科創(chuàng)集團(tuán)投資建設(shè)，總投資額達(dá)到6.3億元人民幣。 項(xiàng)目占地面積4萬平方米，總建筑面積6.47萬平方米，其中地上建筑面積53708.03平方米，地下建筑面...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed、英諾賽科動(dòng)態(tài)，涉及碳化硅、氮化鎵新品
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 11 日 17:05 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域，Wolfspeed與英諾賽科近日推出創(chuàng)新產(chǎn)品——Wolfspeed發(fā)布第四代1200V車規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET，英諾賽科推出全球首款100V氮化鎵低邊驅(qū)動(dòng)IC，雙雙發(fā)力，為新能源汽車動(dòng)力系統(tǒng)與電池管理生態(tài)注入新動(dòng)能。 1、Wolfspeed推出第四代1200V車...  [詳內(nèi)文]

國際首次突破！深圳平湖實(shí)驗(yàn)室攻克GaN/SiC單片集成技術(shù)瓶頸
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 11 日 16:52 | 分類 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室官微宣布，深圳平湖實(shí)驗(yàn)室近日在GaN/SiC集成領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展，在國際上首次研制了商用8英寸4°傾角4H-SiC襯底上的高質(zhì)量AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)外延。 據(jù)了解，該成果打破了大尺寸GaN與SiC材料單片集成的技術(shù)瓶頸，為GaN/SiC混合器件的發(fā)...  [詳內(nèi)文]

中芯國際：未來將配合建立SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 11 日 16:42 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
8月7日，中芯國際聯(lián)合CEO趙海軍在業(yè)績會(huì)上表示，公司未來將根據(jù)國際客戶的“China for China”需求，配合建立 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化鎵）等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能。 這一戰(zhàn)略舉措標(biāo)志著中芯國際在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的進(jìn)一步拓展，旨在滿足國內(nèi)市場對(duì)高端半導(dǎo)體產(chǎn)品的需求，...  [詳內(nèi)文]

國產(chǎn)射頻新篇章，歐益睿芯6英寸GaN工藝平臺(tái)開放
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 11 日 14:39 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN
隨著5G/6G通信、雷達(dá)系統(tǒng)、衛(wèi)星互連等高頻高功率應(yīng)用場景的快速發(fā)展，碳化硅襯底氮化鎵（GaN on SiC）技術(shù)已成為全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競爭焦點(diǎn)。在國際廠商主導(dǎo)的市場格局下，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的自主化進(jìn)程對(duì)高可靠性、高性能、低成本的本土工藝平臺(tái)需求日益迫切。 近日，合肥歐益睿芯科技有限公...  [詳內(nèi)文]

英國這家初創(chuàng)公司，憑兩大新專利進(jìn)軍GaN與SiC市場
作者 |發(fā)布日期 2025 年 08 月 11 日 14:01 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
隨著寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域部分核心專利陸續(xù)到期，一場技術(shù)創(chuàng)新的浪潮正悄然興起。英國初創(chuàng)公司#柵源漏半導(dǎo)體（Gate Source Drain Semiconductor Ltd）抓住這一歷史機(jī)遇，正專注于研發(fā)新一代的專利保護(hù)型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件。該公司計(jì)劃在未來2-3年內(nèi)，推出垂直...  [詳內(nèi)文]