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Wolfspeed 發(fā)布兩款全新1200V碳化硅模塊
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 19 日 14:33 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
Wolfspeed近日宣布，其面向電動汽車（EV）牽引逆變系統(tǒng)推出兩大全新1200V碳化硅功率模塊系列。這兩大系列均搭載Wolfspeed最新的第四代(Gen4) SiC MOSFET技術(shù)和創(chuàng)新封裝工藝，旨在提供前所未有的系統(tǒng)耐久性、效率與設(shè)計靈活性，為電動汽車的性能和可靠性樹立...  [詳內(nèi)文]

這家氧化鎵公司落戶晉江并完成天使輪融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 19 日 14:28 | 分類 氧化鎵
隨著高功率器件性能需求的持續(xù)提升，氧化鎵憑借超寬禁帶、高擊穿電場等優(yōu)勢，被視為理想的第四代功率半導(dǎo)體材料，吸引國內(nèi)廠商不斷布局，近期氧化鎵領(lǐng)域再次傳出新動態(tài)。 “晉江產(chǎn)經(jīng)報道”官微消息，近日，晉江西安離岸創(chuàng)新中心孵化出的第一個產(chǎn)業(yè)化項目，專注于第四代超寬禁帶半導(dǎo)體材料——氧化鎵科...  [詳內(nèi)文]

TOPIC | 解鎖APCSCRM 2025 報告主題，邀請您11月25日鄭州見！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 18 日 15:12 | 分類 展會
第六屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議（APCSCRM 2025）將于2025年11月25日-27日在河南鄭州盛大召開。會議將以“芯聯(lián)新世界，智啟源未來（Wide Bandgap, Wider Future）”為主題，聚焦寬禁帶半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新，涵蓋裝備、材料、器件、封測、終端應(yīng)...  [詳內(nèi)文]

12英寸氮化鎵再傳新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 18 日 14:38 | 分類 氮化鎵GaN
近期，信越化學(xué)宣布，比利時微電子研究中心（imec）利用QST襯底[一種300mm氮化鎵(GaN)生長襯底]制造出厚度為5μm的GaN HEMT結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了超過650V的高擊穿電壓。 資料顯示，QST襯底是由美國公司Qromis開發(fā)的專用于GaN生長的復(fù)合材料襯底。信越化學(xué)于20...  [詳內(nèi)文]

三家企業(yè)推進(jìn) GaN/SiC 技術(shù)新進(jìn)展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 18 日 14:33 | 分類 企業(yè) , 氮化鎵GaN , 碳化硅SiC
近期，功率半導(dǎo)體行業(yè)迎來重要技術(shù)進(jìn)展，英飛凌、GE Aerospace和SemiQ Inc三家企業(yè)分別在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)領(lǐng)域取得新進(jìn)展。 01、英飛凌推出首款100V車規(guī)級GaN晶體管 11月6日，英飛凌科技股份公司宣布推出其首款符合汽車電子委員會(AEC)汽車...  [詳內(nèi)文]

芯聯(lián)集成發(fā)布全新碳化硅G2.0技術(shù)平臺
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 17 日 14:34 | 分類 碳化硅SiC
11月16日，芯聯(lián)集成宣布正式發(fā)布全新碳化硅G2.0技術(shù)平臺，采用了8英寸更先進(jìn)制造技術(shù)，已達(dá)到全球領(lǐng)先水平。 據(jù)介紹，該技術(shù)平臺通過器件結(jié)構(gòu)與工藝制程的雙重優(yōu)化，實現(xiàn)“高效率、高功率密度、高可靠”核心目標(biāo)，全面覆蓋電驅(qū)與電源兩大核心應(yīng)用場景，可廣泛應(yīng)用新能源汽車主驅(qū)、車載電源及...  [詳內(nèi)文]

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新突破：揚(yáng)杰科技、南通三責(zé)發(fā)力
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 17 日 14:30 | 分類 化合物半導(dǎo)體
全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭日益激烈，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)憑借其獨特的性能優(yōu)勢，成為各國競相布局的關(guān)鍵領(lǐng)域。我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)也在加速崛起，近期，揚(yáng)杰科技與南通三責(zé)在第三代半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域取得重大進(jìn)展。 1、揚(yáng)杰科技斬獲權(quán)威機(jī)構(gòu)芯片國產(chǎn)化認(rèn)證 近期，中國質(zhì)量認(rèn)證中心（CQC）為揚(yáng)杰科技頒發(fā)全國...  [詳內(nèi)文]

兩條半導(dǎo)體行業(yè)高端生產(chǎn)線在沈陽投產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 17 日 14:22 | 分類 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
近日，沈陽經(jīng)開區(qū)落地兩條半導(dǎo)體高端零部件產(chǎn)線。遼寧漢京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地宣布，國內(nèi)首條“半導(dǎo)體碳化硅零部件生產(chǎn)線”和國內(nèi)首條“10nm級極高純石英生產(chǎn)線”已在沈陽經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)正式投產(chǎn)。 圖片來源：遼寧省人民政府網(wǎng) 其中，備受關(guān)注的“半導(dǎo)體碳化硅零部件生產(chǎn)線”是遼寧漢京歷時三年自主...  [詳內(nèi)文]

涉及三安光電、天岳先進(jìn)等廠商，中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展出爐
作者 |發(fā)布日期 2025 年 11 月 14 日 18:01 | 分類 化合物半導(dǎo)體
近期，第十一屆國際第三代半導(dǎo)體論壇&第二十二屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇召開，會議現(xiàn)場揭曉“2025年度中國第三代半導(dǎo)體技術(shù)十大進(jìn)展”入選結(jié)果。 “全系列12英寸碳化硅襯底全球首發(fā)”、“萬伏級SiC MOSFET器件的研制及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)”、“基于氮化鎵Micro-LED的高速...  [詳內(nèi)文]