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Wolfspeed推出基于300mm碳化硅技術(shù)的新一代AI數(shù)據(jù)中心先進(jìn)封裝基礎(chǔ)平臺
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 12 日 14:43 | 分類 碳化硅SiC
近期，Wolfspeed公司宣布，Wolfspeed 300mm碳化硅 (SiC) 技術(shù)平臺可在這十年內(nèi)成為支撐先進(jìn)人工智能 (AI) 和高性能計算 (HPC) 異構(gòu)封裝的核心基礎(chǔ)材料。 圖片來源：Wolfspeed Wolfspeed在2026年1月成功生產(chǎn)出單晶300mm碳...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)碳化硅突破14英寸！全球大尺寸競賽全面提速
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 12 日 14:38 | 分類 碳化硅SiC
3月11日，天成半導(dǎo)體正式宣布，依托自主研發(fā)設(shè)備成功研制出14英寸碳化硅單晶材料，有效厚度達(dá)30㎜，這一突破不僅填補(bǔ)了國內(nèi)相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)空白，更標(biāo)志著我國碳化硅產(chǎn)業(yè)在大尺寸材料領(lǐng)域，正式從“12英寸普及”向“14英寸破冰”跨越。 圖片來源：天成半導(dǎo)體 圖為14英寸碳化硅原生晶錠...  [詳內(nèi)文]

廣東：重點推動碳化硅、氮化鎵等材料規(guī)模化制備與應(yīng)用
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 11 日 15:16 | 分類 產(chǎn)業(yè)
3月10日，廣東省人民政府辦公廳印發(fā)《廣東省加快培育發(fā)展新賽道引領(lǐng)現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系建設(shè)行動規(guī)劃（2026—2035年）》。其中提出，重點推動碳化硅、氮化鎵等材料規(guī)?；苽渑c應(yīng)用，開展氧化鎵、氮化鋁、金剛石等材料及制備技術(shù)工藝攻關(guān)，推進(jìn)FD-SOI等特色制造工藝及異質(zhì)異構(gòu)集成、光電混...  [詳內(nèi)文]

全球首座6英寸磷化銦光子芯片工業(yè)晶圓廠動工，化合物半導(dǎo)體賽道再升溫！
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 11 日 15:06 | 分類 磷化銦
作為一種極其重要的III-V族化合物半導(dǎo)體，磷化銦（InP）憑借其優(yōu)秀的禁帶寬度、極高的光電效率以及卓越的導(dǎo)熱性，已被廣泛應(yīng)用于光通信、量子點電視、太空光伏等前沿科技領(lǐng)域。近期，磷化銦領(lǐng)域傳出重磅新進(jìn)展，全球首座6英寸磷化銦光子芯片工業(yè)晶圓廠在歐洲破土動工；與此同時，2026年中...  [詳內(nèi)文]

比亞迪自研1500V車規(guī)級SiC模塊已批量裝車
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 10 日 17:45 | 分類 碳化硅SiC
近日，比亞迪在深圳大運中心體育館舉辦年度技術(shù)發(fā)布會，會議聚焦五大量產(chǎn)核心技術(shù)，其中碳化硅相關(guān)應(yīng)用為核心亮點之一。 據(jù)悉，此次發(fā)布會上，比亞迪重點推出自研自產(chǎn)的1500V車規(guī)級SiC功率模塊（型號BME1400B15JE34U5N），該模塊為全球首款在乘用車主驅(qū)逆變器上大規(guī)模量產(chǎn)的...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)12英寸SiC再獲突破！
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 10 日 17:41 | 分類 碳化硅SiC
3月10日，科友半導(dǎo)體在官方微信發(fā)布消息稱，公司已在12英寸碳化硅（SiC）晶片加工領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)導(dǎo)電型與半絕緣型雙突破，并成功打通從晶體生長到晶片加工的大尺寸全鏈條核心技術(shù)，標(biāo)志著我國大尺寸碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化邁上新臺階。 圖片來源：科友半導(dǎo)體 根據(jù)科友半導(dǎo)體的介紹，此次突破性進(jìn)展集中...  [詳內(nèi)文]

揚杰科技、晶方科技等披露新進(jìn)展，功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化加速
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 10 日 17:37 | 分類 功率
當(dāng)前，在功率半導(dǎo)體國產(chǎn)化進(jìn)程持續(xù)推進(jìn)以及行業(yè)競爭日益加劇的背景下，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)正積極尋找新的增長曲線。近期，揚杰科技、晶方科技與同惠電子三家企業(yè)相繼披露了最新業(yè)務(wù)動態(tài)。這三家公司分別代表了功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中的器件制造、先進(jìn)封裝與檢測設(shè)備環(huán)節(jié)，它們的最新布局展現(xiàn)了國內(nèi)功率半...  [詳內(nèi)文]

大咖云集?。?月10日 無錫） “2026碳化硅大會暨先進(jìn)封裝技術(shù)大會！”演講嘉賓陣容大曝光
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 10 日 15:13 | 分類 展會
碼上報名！ 參會參展：王老師 ?19276486107 同微 碳化硅襯底、封測企業(yè)免費參會！ 一、大會基本信息 會議主辦：半導(dǎo)體芯鏈 無錫國際碳化硅大會組織委員會?、全國半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新平臺 承辦單位：安徽富邦通會展服務(wù)限公司 會議時間：2026年4月9-10日(9日報到...  [詳內(nèi)文]

Wolfspeed推出業(yè)界首款商業(yè)化10kV SiC功率MOSFET
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 09 日 15:01 | 分類 碳化硅SiC
近日，Wolfspeed宣布推出業(yè)內(nèi)首個商業(yè)化10kV SiC功率MOSFET。此產(chǎn)品為高壓電力電子系統(tǒng)設(shè)計帶來更多架構(gòu)自由，能大幅提升系統(tǒng)可靠性與耐久性，為電網(wǎng)升級、工業(yè)電氣化、AI數(shù)據(jù)中心供電等高要求場景提供關(guān)鍵技術(shù)支持。 10kV SiC MOSFET樹立了耐久與性能新標(biāo)桿...  [詳內(nèi)文]

日本電裝擬82億美元收購羅姆
作者 |發(fā)布日期 2026 年 03 月 09 日 14:55 | 分類 企業(yè)
日本汽車零部件巨頭電裝公司（DENSO）近日正式向功率半導(dǎo)體領(lǐng)先企業(yè)羅姆（ROHM）提出全面收購要約，這一舉動引發(fā)了全球半導(dǎo)體與汽車行業(yè)的廣泛關(guān)注。 據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》披露，此次交易估值預(yù)計高達(dá)1.3萬億日元（約合82億美元），若能達(dá)成，將成為日本半導(dǎo)體領(lǐng)域近年來規(guī)模最大的整合案...  [詳內(nèi)文]