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兩大功率半導體相關項目迎新進展
作者 |發(fā)布日期 2026 年 01 月 04 日 15:31 | 分類 功率
在科技革新與產業(yè)升級的雙重驅動下，功率半導體作為電能轉換與控制的核心器件，廣泛應用于新能源、工業(yè)控制、消費電子等眾多領域，成為推動現代電子產業(yè)發(fā)展的關鍵力量。12月29日，功率半導體領域傳來兩大消息：瑞能微恩半導體（北京）有限公司6吋車規(guī)級功率半導體晶圓生產基地建設項目完成竣工驗...  [詳內文]

這家廠商發(fā)布高純度P型SiC襯底，賦能IGBT產業(yè)升級
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 31 日 17:23 | 分類 碳化硅SiC
近期，江蘇超芯星半導體有限公司（以下簡稱超芯星）正式在全球同步發(fā)布High Purity P-type SiC（高純度P型碳化硅）襯底。 圖片來源：超芯星 資料顯示，P型碳化硅襯底是制備超高壓IGBT的核心基礎材料。長期以來，全球P型碳化硅襯底行業(yè)始終被一個致命痛點困擾——Fe...  [詳內文]

小批量出貨+戰(zhàn)略合作，又一氮化鎵廠商沖刺機器人賽道！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 31 日 17:12 | 分類 氮化鎵GaN
近期，國內功率半導體企業(yè)宏微科技在氮化鎵（GaN）領域動作頻頻，先是披露自主研發(fā)的氮化鎵產品已實現小規(guī)模出貨，隨后又與國內傳動領域頭部企業(yè)達成戰(zhàn)略合作，聚焦氮化鎵器件聯(lián)合共研及多領域應用拓展。 與國內傳動領域頭部企業(yè)達成戰(zhàn)略合作 12月29日，宏微科技公告稱，公司與一家國內傳動領...  [詳內文]

25.7億元，新微集團完成戰(zhàn)略融資
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 31 日 16:34 | 分類 企業(yè)
12月30日， 新微集團宣布完成第二輪融資，資金規(guī)模共計25.7億元人民幣。 本輪融資中，原股東混改基金、工銀投資、交銀投資繼續(xù)增持，合計出資11億元；國家綠色發(fā)展基金、上海國際集團、中電科投資、深投控資本、廣西產投、臨港新片區(qū)及臨港策源七家“新面孔”同步入局，股東結構首次實現國...  [詳內文]

深圳首個聚焦化合物半導體光電子領域公共服務平臺落成！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 30 日 15:14 | 分類 化合物半導體
近期，深圳技術大學半導體微納加工中心與測試平臺正式落成。 深技大副校長鄧元龍代表學校，分別與清華大學深圳國際研究生院、深圳平湖實驗室、深圳國際量子研究院、南方科技大學深港微電子學院、深圳光峰科技股份有限公司、藍河科技(紹興)有限公司、騰璞顯示技術（深圳）有限公司、深圳市中科米格實...  [詳內文]

這家設備廠實現12英寸碳化硅單晶爐小批量發(fā)貨
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 30 日 15:09 | 分類 企業(yè) , 碳化硅SiC
2025年12月，晶升股份在碳化硅單晶爐領域邁出關鍵一步：公司自主研發(fā)的12英寸碳化硅單晶爐已于12月29日完成小批量發(fā)貨，正式交付客戶投入應用。這一進展不僅填補了國產300mm SiC長晶設備的空白，也為12英寸碳化硅襯底在先進封裝、AR眼鏡等新興場景的落地奠定了“材料之基”。...  [詳內文]

紫光國微公告，收購功率半導體大廠
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 30 日 15:01 | 分類 企業(yè)
12月29日，紫光國芯微電子股份有限公司（簡稱“紫光國微”）發(fā)布公告，宣布正籌劃以發(fā)行股份及支付現金的方式，收購南昌建恩半導體產業(yè)投資中心（有限合伙）、北京廣盟半導體產業(yè)投資中心（有限合伙）、天津瑞芯半導體產業(yè)投資中心（有限合伙）等交易對方持有的瑞能半導體體科技股份有限公司（簡稱...  [詳內文]

這家公司水導激光技術成功實現12英寸碳化硅晶錠一次性高效精密加工
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 29 日 15:53 | 分類 碳化硅SiC
近期，晟光硅研成功應用水導激光加工技術，對12英寸超大尺寸碳化硅晶錠實現了高質量、高效率的精密加工，具備應對超厚材料能力強、加工質量卓越、適用于大尺寸工件、環(huán)保與高效等特點，未來有望提升襯底制備能力、降低綜合成本，為我國第三代半導體產業(yè)的自主可控與高質量發(fā)展注入強勁動能。 圖片...  [詳內文]

我國實現8英寸氧化鎵晶體制備突破！
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 29 日 15:48 | 分類 氧化鎵
據“上?？萍肌眻蟮?，12月27日，在上海市科委第四代半導體戰(zhàn)略前沿專項支持下，中國科學院上海光機所（以下簡稱“上海光機所”）聯(lián)合杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡稱“富加鎵業(yè)”），在國際上首次采用垂直布里奇曼法（VB法）制備出8英寸氧化鎵晶體。 圖片來源：杭州富加鎵業(yè)科技有限公司...  [詳內文]

比亞迪半導體、株洲中車等3家企業(yè)披露最新進展
作者 |發(fā)布日期 2025 年 12 月 29 日 15:38 | 分類 企業(yè) , 功率
近期，國產功率半導體“三線”齊傳捷報：株洲中車53億元8英寸SiC晶圓線正式通線，年增36萬片產能；寧波比亞迪24萬片SiC芯片技改項目通過驗收，1200V溝槽柵MOSFET量產在即；東臺富樂華10億元高導熱陶瓷基板項目主體封頂，180萬片/年封裝材料產線落地。 中車中低壓功率器...  [詳內文]